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SI2342DS-T1-VB 产品详细

产品简介:

SI2342DS-T1-VB MOSFET 产品简介

**SI2342DS-T1-VB** 是一款采用 Trench 技术的 N-Channel MOSFET,封装为 SOT23-3。该 MOSFET 在低电压应用中表现优异,具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力,适用于需要高效能和低功耗的电源管理和开关应用。其额定漏极源电压(V_DS)为 20V,栅源电压(V_GS)为 ±12V,漏极电流(I_D)为 6A。它的低 R_DS(ON) 特性使得在高效能的功率开关中具有重要应用,适合于各种电子系统中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
SI2342DS-T1-VB MOSFET 详细参数说明

| 参数 | 说明 |
|-------------------------|----------------------------------------------------------|
| **封装** | SOT23-3 |
| **配置** | 单极性 N-Channel |
| **漏源电压(V_DS)** | 20V |
| **栅源电压(V_GS)** | ±12V |
| **阈值电压(V_th)** | 0.5V ~ 1.5V |
| **导通电阻(R_DS(ON))** | 42mΩ(V_GS = 2.5V)
28mΩ(V_GS = 4.5V) |
| **漏极电流(I_D)** | 6A |
| **技术** | Trench(沟槽型) |

领域和模块应用:

SI2342DS-T1-VB MOSFET 应用领域与模块示例

**1. 电源管理模块**
- 在电源管理应用中,SI2342DS-T1-VB 能够作为功率开关器件,特别适用于低电压、高效率的电源转换器(如降压转换器、升压转换器)。其低 R_DS(ON) 能有效减少功率损耗,并提供更高的能效,广泛用于各种消费电子产品中的电池供电模块。

**2. DC-DC 转换器**
- 作为一款 N-Channel MOSFET,SI2342DS-T1-VB 非常适合用于 DC-DC 转换器的开关元件。它能够以高效率转换电源,尤其是在需要稳定输出电压的便携式设备、嵌入式系统和小型电源模块中非常有用。低导通电阻有助于提高转换效率,减少发热。

**3. 电池管理系统**
- 在电池管理系统(BMS)中,MOSFET 被广泛应用于电池充放电控制及电流保护。SI2342DS-T1-VB 提供了高效的开关控制,在电池过充、过放以及温控保护中起到至关重要的作用。

**4. 负载开关**
- 在便携式电子设备中,SI2342DS-T1-VB 可作为负载开关,控制电路中设备的启停。其低 R_DS(ON) 可实现低功耗和高效的电流切换,适用于需要精确电流管理和高能效的应用场合。

**5. 电动工具与电动驱动器**
- 在电动工具、电动驱动器和其他高功率应用中,SI2342DS-T1-VB 的高电流承载能力使其成为理想的选择。它能够提供快速开关、有效的电流控制并减少电能损耗,从而提升电动工具或电动驱动器的效率与性能。

**6. 小型家电与便携设备**
- SI2342DS-T1-VB 适用于各种小型家电、便携设备和通信设备中的功率管理系统。低导通电阻和高效率使得它在减少设备热量、提高设备电池续航和提升系统总体可靠性方面非常有价值。

**总结:**
SI2342DS-T1-VB MOSFET 凭借其低 R_DS(ON) 和高电流能力,在电源管理、DC-DC 转换、负载开关、电池管理和各种低功耗应用中具有广泛的适用性。其高效率和低功耗特性使其成为高效能小型电子设备中不可或缺的关键元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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