推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

SI2323DS-T1-VB 产品详细

产品简介:

**SI2323DS-T1-VB** 是一款单P通道MOSFET,封装为SOT23-3。该器件的最大漏极-源极电压(V_DS)为-30V,具有低门槛电压(V_th)为-1.7V,并在V_GS = 4.5V时,R_DS(ON)为54mΩ,在V_GS = 10V时,R_DS(ON)为46mΩ。其最大漏极电流(I_D)为-5.6A,采用Trench技术,具有较低的导通电阻和较高的效率。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
产品参数:
- **封装:** SOT23-3
- **配置:** 单P通道
- **V_DS:** -30V
- **V_GS:** ±20V
- **V_th:** -1.7V
- **R_DS(ON):** V_GS = 4.5V时为54mΩ,V_GS = 10V时为46mΩ
- **I_D(最大值):** -5.6A
- **技术:** Trench技术

领域和模块应用:

应用领域:
这款MOSFET适用于低电压、高效率的各种电子电路。由于其低R_DS(ON),在功率转换和电源管理中表现优异,尤其适合便携式设备、DC-DC转换器和电池供电的设备。例如,在电动工具或电动玩具等应用中,可以有效提高能效,延长电池使用寿命。其紧凑的SOT23-3封装使其在空间受限的设计中也能发挥重要作用,比如智能手机、平板电脑以及其他便携式消费电子产品。

此外,作为单P通道MOSFET,它在反向电流控制和负载开关电路中非常适合,可以在需要高效率的电源管理系统中广泛应用,例如LED驱动、电池管理系统(BMS)以及过电流保护电路等领域。在汽车电子中,也适合用于低电压、高效率的电源分配系统中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询