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SI2320DS-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:

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SI2320DS-T1-E3 是一款来自Vishay的单N通道MOSFET,采用SOT23-3封装,具备200V的漏极-源极电压(VDS)和高达0.6A的最大漏电流(ID)。该MOSFET使用Trench技术,具有较高的Vth(阈值电压)2.5V,适用于高压电源管理和开关应用。其较大的导通电阻(RDS(ON) = 1400mΩ@VGS=10V)使其适合一些中低功率、较低电流的应用场景。此器件在需要低成本、低占板面积并且具有高耐压性能的场合中表现优异。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
详细参数说明:
- **型号**:SI2320DS-T1-E3
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单N通道(Single-N-Channel)
- **漏极-源极电压 (VDS)**:200V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通阻抗 (RDS(ON))**:
- 1400mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**:0.6A
- **技术**:Trench技术
- **工作温度范围**:-55°C 至 +150°C
- **应用**:中低功率开关、负载开关、过电压保护等应用

领域和模块应用:

应用领域与模块举例:
1. **电源管理系统**:
SI2320DS-T1-E3 MOSFET非常适合用于电源管理模块中,尤其是在要求较高耐压和中等功率处理能力的场合,如在DC-DC变换器中作为开关元件。它的200V VDS使其能够处理较高的输入电压,而0.6A的ID适合中低功率的应用。

2. **过电压保护电路**:
在电源电路或电池管理系统中,SI2320DS-T1-E3 MOSFET可用作过电压保护电路的一部分。在电压超过安全阈值时,MOSFET会迅速切断电流流动,从而防止电路损坏。这种保护功能对于高电压或高电流的敏感电路尤为重要。

3. **低功耗开关应用**:
虽然SI2320DS-T1-E3的ID较低,但它仍然适用于低功耗开关应用,例如小型负载控制、电池驱动的设备或传感器电路。其小巧的SOT23封装和较低的门电压使其成为控制电路和小型电子模块的理想选择。

4. **负载开关**:
由于其高耐压特性,SI2320DS-T1-E3 MOSFET可在各种负载开关应用中提供高效、可靠的电流切换。它能够处理较高的电压输入,并在电流负载较低的情况下提供稳定的开关控制,这使其成为低功耗负载开关的理想选择。

5. **开关电源**:
SI2320DS-T1-E3 还可用于开关电源模块中的高压开关功能。在这些应用中,MOSFET充当电流通断的关键元件,能够有效地控制电流的流动,确保电源的稳定输出,尤其是在电源转换和调节过程中。

6. **LED驱动电路**:
在LED照明系统中,SI2320DS-T1-E3可以用于驱动电路中的开关控制,帮助实现高效的功率调节和电流稳定性。由于其较高的耐压特性,它适用于一些需要耐受较高电压的LED驱动应用。

总结:SI2320DS-T1-E3 MOSFET凭借其200V的高耐压、低功耗以及小型封装的特点,适用于多种电源管理、负载开关、保护电路等领域。它适合那些需要中等电流、较高电压和紧凑尺寸的应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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