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SI2306DS-T1-VB 产品详细

产品简介:

SI2306DS-T1-VB MOSFET 产品简介

SI2306DS-T1-VB 是一款单N沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,适用于多种低电压、高效能的开关应用。该 MOSFET 具有最大漏源电压 V_DS 为 30V,适合用于电池供电、电源管理、电动驱动系统等场景。其阈值电压 (V_th) 为 1.7V,导通电阻 (R_DS(ON)) 在 V_GS = 4.5V 时为 33mΩ,V_GS = 10V 时为 30mΩ,提供低功率损耗和高效能的特性。SI2306DS-T1-VB 的最大漏电流 (I_D) 为 6.5A,适用于大部分低功率驱动和开关电路。

其采用 Trench 技术,能够在较低电压下提供较高的电流承载能力,并具有优异的热管理性能,适合用于广泛的电子设备中,包括电源适配器、LED 驱动、负载开关等应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
SI2306DS-T1-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**: SI2306DS-T1-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N-通道
- **最大漏源电压 (V_DS)**: 30V
- **最大栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(ON))**:
- 在 V_GS = 4.5V 时,R_DS(ON) = 33mΩ
- 在 V_GS = 10V 时,R_DS(ON) = 30mΩ
- **最大漏电流 (I_D)**: 6.5A
- **技术**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 +150°C
- **封装类型**: SOT23-3

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领域和模块应用:

SI2306DS-T1-VB MOSFET 应用领域和模块

1. **电源管理**
SI2306DS-T1-VB 可广泛应用于电源管理模块,尤其是在DC-DC转换器、降压和升压转换器中。其低导通电阻和高效的开关特性可以显著提高电源转换效率,并降低功率损耗。该 MOSFET 适用于电池供电系统、便携式电子设备和各种低功率电源管理应用。

2. **LED 驱动**
由于其低 R_DS(ON) 和良好的开关性能,SI2306DS-T1-VB 也适合用于LED驱动电路。在需要高效功率控制和温升管理的LED照明系统中,SI2306DS-T1-VB 可以稳定工作,提供可靠的电流控制,延长LED的使用寿命。

3. **负载开关**
该 MOSFET 适用于负载开关应用,特别是在要求低功耗和高可靠性的场合。例如,在电池管理系统、便携式设备和各种电子设备的电源开关电路中,可以利用 SI2306DS-T1-VB 作为高效、可靠的开关元件,保证系统的长时间稳定运行。

4. **电动驱动系统**
在电动驱动系统中,尤其是低功率的电动工具、电动玩具、电动设备等,SI2306DS-T1-VB 可以用作开关元件,用于控制电动机的驱动电流或作为电源模块的开关。其高电流承载能力和低导通电阻,使得系统能够在低电压下高效工作,提升系统整体效率。

5. **消费电子产品**
在消费电子产品(如智能手机、平板电脑、便携式音响等)的电源电路中,SI2306DS-T1-VB 可以作为开关控制元件,用于优化电源管理和提供稳定的电压转换。这类电子产品通常需要高效的电池管理和低功耗特性,SI2306DS-T1-VB 提供了理想的解决方案。

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SI2306DS-T1-VB 是一款非常适合低电压、高效能开关应用的 N-Channel MOSFET,凭借其优异的性能和广泛的适用性,可用于多个领域的电源管理、电动驱动、负载开关等应用,为现代电子设备提供高效、稳定的开关控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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