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RU60E2B-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
RU60E2B-VB是一款单N通道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低功耗应用设计。其工作电压范围高达60V,能够满足各种中等电压需求。利用先进的Trench技术,RU60E2B-VB具有较高的栅极驱动电压灵敏度和稳定的开关性能,适用于多种电子电路,包括电源管理和信号处理。尽管其最大漏极电流为0.3A,但在特定应用中可以提供可靠的性能。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明
- **型号**: RU60E2B-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N通道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **门限电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

适用领域与模块
1. **低功耗电源管理**: RU60E2B-VB非常适合用于低功耗电源管理电路,如小型DC-DC转换器和稳压电源。其低导通电阻在低电流应用中能够有效降低能量损耗,提升整体效率。

2. **便携式电子设备**: 该MOSFET可广泛应用于便携式电子设备,如手持设备、智能手机和平板电脑。由于其小型化封装和低功耗特性,RU60E2B-VB能够支持这些设备的高效能与长续航时间。

3. **信号开关**: RU60E2B-VB可用于信号开关应用,例如音频和视频信号的选择与切换。其优良的开关特性能够确保信号在传输过程中的完整性,适合在高频应用中使用。

4. **LED驱动**: 在LED驱动电路中,RU60E2B-VB可以用于控制LED的开关与调光,适合于家庭照明和室内装饰照明。凭借其高电压耐受能力,可以有效管理多个LED并行连接的情况。

5. **传感器应用**: 该MOSFET也可以在各种传感器应用中使用,如温度传感器和湿度传感器的开关控制。RU60E2B-VB能够提供稳定的驱动能力,确保传感器在不同工作条件下的准确性和可靠性。

RU60E2B-VB以其稳定的性能和广泛的应用适应性,成为低功耗电子设计中一个重要的选择,推动了现代电子产品的高效能与可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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