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RU40P3C-VB 产品详细

产品简介:

RU40P3C-VB 产品简介

RU40P3C-VB是一款高效能P沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低电压、高电流应用设计。其最大漏极源极电压(VDS)为-40V,能够承载高达-3.6A的漏电流(ID),使其在多种需要高性能的电子设备中表现出色。RU40P3C-VB的导通电阻(RDS(ON))在不同栅极电压(VGS)下具有良好的性能,在VGS为10V时仅为71mΩ,确保了高效的电流传输和低功耗运行,适合广泛的电子应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -40V 20(±V) -1.7V -3.6A 71mΩ
详细参数说明

- **型号**: RU40P3C-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单个P沟道
- **最大漏极源极电压 (VDS)**: -40V
- **栅极源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 100mΩ @ VGS = 4.5V
- 71mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: -3.6A
- **技术**: Trench技术

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

RU40P3C-VB广泛应用于多个领域和模块,包括:

1. **电源管理**:
- 在开关电源和DC-DC转换器中,该MOSFET可作为关键开关元件,优化能量转换效率和减少能量损耗,提升系统性能。

2. **电动汽车**:
- 用于电动汽车的电源分配和电池管理系统,RU40P3C-VB能够确保高效的电流控制和系统稳定性,提升整体可靠性。

3. **LED驱动电路**:
- 在LED照明设备中,该MOSFET作为驱动元件,能够实现高效的光源控制,优化光输出,减少发热。

4. **工业控制系统**:
- 在电机控制和自动化设备中,RU40P3C-VB能够有效地实现功率切换,确保系统在高负载情况下的稳定性和可靠性。

5. **消费电子产品**:
- 在便携式电子设备和其他消费电子产品中,该MOSFET用于优化电源管理和分配,提升设备的整体能效,确保用户体验。

凭借其出色的性能和广泛的应用范围,RU40P3C-VB成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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