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RU30P4B-VB 产品详细

产品简介:

RU30P4B-VB 产品简介

RU30P4B-VB是一款高效的单P沟道MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装,专为高电压和中等电流应用设计。该器件的漏源极电压(VDS)为-30V,能够支持高达-5.6A的连续电流,适合对功率和效率有严格要求的电路。RU30P4B-VB采用先进的Trench技术,提供低导通电阻(RDS(ON)),有效降低能量损耗,提升系统效率,特别适合于便携式和小型设备。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
详细参数说明

- **型号**: RU30P4B-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单P沟道
- **VDS**: -30V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **RDS(ON)**:
- 54mΩ @ VGS=4.5V
- 46mΩ @ VGS=10V
- **ID**: -5.6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **电源管理**: RU30P4B-VB广泛应用于便携式电子设备的电源管理系统,能够在高负载条件下有效控制电源的开关,提升电池的使用效率,延长设备的续航时间。

2. **电机控制**: 在小型电机驱动应用中,该MOSFET可用于高效控制电机的启停和速度调节,适合用于电动玩具、小型家电和电动工具,确保良好的性能和响应速度。

3. **LED驱动**: RU30P4B-VB可作为LED照明系统中的开关元件,提供稳定的电流,适用于各种LED应用,尤其是需要小型化和高效能的照明设备,如家用和商业照明。

4. **通信设备**: 该器件也适合用于通信设备中的开关和放大器电路,确保信号的高效传输和处理,广泛应用于无线设备和网络设备中。

通过这些应用示例,RU30P4B-VB展现了其在多种领域的广泛适用性和卓越性能,是现代高效电路设计的重要组成部分。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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