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RU30E4B-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
RU30E4B-VB是一款高性能的SOT23-3封装单管N型MOSFET,专为低电压和中等电流应用设计。其VDS耐受能力为30V,能够处理高达6.5A的电流,非常适合用于各种电源管理和开关控制应用。RU30E4B-VB具有良好的导通电阻特性(33mΩ@VGS=4.5V和30mΩ@VGS=10V),在有效降低能耗的同时提高了系统的整体效率,广泛应用于消费电子和工业设备中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 30V 20(±V) 1.7V 6.5A 30mΩ
参数说明
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单N型通道
- **VDS**:30V
- **VGS**:±20V
- **Vth**:1.7V
- **RDS(ON)**:
- 33mΩ(VGS=4.5V)
- 30mΩ(VGS=10V)
- **ID**:6.5A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域
RU30E4B-VB广泛应用于电源管理系统,例如DC-DC转换器、开关电源和高效能电源模块,尤其适合于低电压、高效率的应用。由于其较低的导通电阻,该MOSFET在便携式设备、移动电话和其他消费电子产品中表现出色,能够提供稳定且高效的电源输出。在工业设备中,RU30E4B-VB也常用于电机驱动和其他高效电源控制方案,确保系统在负载变化时的可靠性和稳定性。此外,该MOSFET适用于LED驱动、智能家居设备及汽车电子系统,能够满足多种领域对高效能和可靠性的需求。其小巧的封装设计使其在空间受限的应用中也具备良好的适用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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