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NDS7002A-NL-VB 产品详细

产品简介:

一、NDS7002A-NL-VB 产品简介

NDS7002A-NL-VB 是一款小型、单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低功耗和小电流应用设计。该MOSFET的最大漏源电压(V\(_{DS}\))为60V,栅极电压允许范围为±20V,确保其在多种控制电路中稳定工作。其阈值电压为1.7V,使其在较低栅极电压下即可开启。在V\(_{GS}\) = 4.5V 时的导通电阻为3100mΩ,V\(_{GS}\) = 10V 时为2800mΩ,适合低电流场合。NDS7002A-NL-VB 具有0.3A的最大连续漏极电流能力,并采用沟槽(Trench)技术优化性能,使其在小型电子设备中具有良好的效率和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、NDS7002A-NL-VB 详细参数说明

| **参数** | **值** | **说明** |
|-----------------------------|-----------------------------|-----------------------------------|
| **封装类型** | SOT23-3 | 小尺寸封装,适合紧凑设计 |
| **配置** | 单N沟道(Single-N-Channel) | 用于基本的电流开关与控制 |
| **V\(_{DS}\)** | 60V | 漏源间的最大电压 |
| **V\(_{GS}\)** | ±20V | 栅极允许的最大正负电压 |
| **V\(_{th}\)** | 1.7V | 栅源阈值电压 |
| **R\(_{DS(on)}\)** | 3100mΩ @ V\(_{GS}\)=4.5V | 导通电阻,影响电流通过效率 |
| **R\(_{DS(on)}\)** | 2800mΩ @ V\(_{GS}\)=10V | 在较高栅极电压下的导通电阻 |
| **I\(_D\)** | 0.3A | 最大连续漏极电流 |
| **技术** | 沟槽工艺(Trench) | 提高性能,减少电阻和损耗 |
| **工作温度范围** | -55°C ~ 150°C | 适用于各种环境条件 |

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领域和模块应用:

三、适用领域及模块应用

1. **信号开关与控制**
NDS7002A-NL-VB 非常适合用于信号控制和小电流开关电路。例如,它可以作为微处理器的控制开关,在低功耗电路中执行简单的开启和关闭功能。

2. **便携式设备的功率管理**
该MOSFET 的小尺寸和低功耗特性,使其非常适合用于智能手表、传感器、可穿戴设备等小型电子产品的功率管理电路。

3. **LED驱动与控制**
虽然电流承载能力有限,NDS7002A-NL-VB 可用于驱动和控制小功率LED灯,例如在指示灯和状态显示器中的应用,提供高效且稳定的亮度控制。

4. **电池管理模块**
该器件在电池监控和低电流充电管理电路中同样表现良好,可用于控制电池的充电路径或作为保护电路的一部分。

5. **低电流电平转换电路**
在需要电平转换的电路中(例如从低电压逻辑转换为高电压驱动),该MOSFET能够实现简单而可靠的转换。

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NDS7002A-NL-VB 由于其紧凑设计、低功耗和稳定性能,非常适用于各种微型设备、信号控制和功率管理模块。其沟槽工艺确保了器件在低电流应用中的高可靠性,是现代小型电子系统中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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