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NDS336P-VB 产品详细

产品简介:

一、NDS336P-VB 产品简介
NDS336P-VB 是一款高性能 **单通道 P 型 MOSFET**,采用紧凑型 **SOT-23-3 封装**,适用于空间受限的电路设计。其 **漏源电压 (VDS)** 为 **-20V**,**栅源电压 (VGS)** 的额定值为 ±12V,支持多种低压开关和负载管理应用。NDS336P-VB 具有较低的 **开启电压 (Vth)** 为 **-0.8V**,在不同的栅极驱动电压下提供出色的导通性能:**80mΩ** @ VGS = 2.5V,**65mΩ** @ VGS = 4.5V,**60mΩ** @ VGS = 10V。该 MOSFET 采用 **Trench 技术**,不仅降低了导通损耗,还能支持高达 **-4A** 的连续漏极电流,非常适合电源管理、低压驱动和电池供电设备等应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
二、NDS336P-VB 详细参数说明
| **参数** | **描述** | **值** |
|-------------------------|-----------------------------------------|---------------------|
| **封装** | SOT-23-3 | 小型封装适合紧凑设计 |
| **配置** | 单 P-沟道 MOSFET | 提供单通道控制 |
| **漏源电压 (VDS)** | 最大承受电压 | -20V |
| **栅源电压 (VGS)** | 栅极可耐受电压范围 | ±12V |
| **开启电压 (Vth)** | 栅极开启电压 | -0.8V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 在 VGS = 2.5V 下的导通电阻 | 80mΩ |
| | 在 VGS = 4.5V 下的导通电阻 | 65mΩ |
| | 在 VGS = 10V 下的导通电阻 | 60mΩ |
| **连续漏极电流 (ID)** | 最大电流能力 | -4A |
| **技术** | Trench 技术 | 提供低损耗与高效性能 |
| **工作温度范围** | 环境温度范围 | -55°C 至 150°C |

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领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例

1. **电源管理模块 (PMU)**
NDS336P-VB 广泛用于电池供电设备的 **负载开关**,如智能手机、笔记本电脑和可穿戴设备的电源轨切换,确保电源分配的高效性。

2. **DC-DC 转换器**
在 **降压型 DC-DC 转换器** 中,该 MOSFET 可以用作高效的同步整流器,减少转换损耗,提高电源系统的能效。

3. **电池保护电路**
NDS336P-VB 在 **锂电池管理系统 (BMS)** 中用于防止电池过充或过放电,保护电池的使用寿命,并确保充电过程的安全。

4. **电机控制**
该 MOSFET 也适用于 **小型电机驱动**,例如无人机、电动玩具和家用电器中的小电流负载,提供高效的电流控制。

5. **消费电子设备**
在 **消费电子** 领域,如蓝牙耳机和 IoT 设备中,NDS336P-VB 作为开关元件,用于控制不同模块的启停,降低待机功耗并延长电池寿命。

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NDS336P-VB 的紧凑封装和低导通电阻特性,使其在空间受限的电路设计中表现出色,并且在需要高能效和低损耗的应用中是理想的选择。其优异的性能确保了在电源管理、DC-DC 转换、电池保护和小型驱动器等多种模块上的可靠应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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