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NCE60P04-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
NCE60P04-VB是一款高效单P通道MOSFET,采用SOT23-3小型封装,专为低电压高电流应用而设计。其最大漏源电压为-60V,栅源电压为±20V,具备-1.7V的低阈值电压(Vth),确保高效的开关性能。该器件的导通电阻RDS(ON)在不同栅源电压下分别为52mΩ@VGS=4.5V和50mΩ@VGS=10V,最大漏电流为-5.2A。采用Trench技术,这款MOSFET能够提供出色的导电性和热管理性能,非常适合用于各种电源和负载管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -60V 20(±V) -1.7V -5.2A 50mΩ
详细参数说明
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单P通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 52mΩ @VGS=4.5V
- 50mΩ @VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: -5.2A
- **技术**: Trench

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领域和模块应用:

应用领域与模块
NCE60P04-VB广泛应用于各种低电压电源管理模块,特别是在负载开关和电机控制电路中,由于其优良的导电性能和小巧的封装,能够有效地满足空间有限的设计需求。在**便携式电子设备**中,它被广泛用于电源切换和电池管理,有助于延长电池使用寿命和提高能效。

此外,该MOSFET在**LED驱动电路**中也表现出色,可以稳定控制LED的亮度和工作状态。在**智能家居和自动化设备**中,NCE60P04-VB可用于控制各种电器的开关,为用户提供便捷的控制体验。由于其较低的导通电阻和高电流处理能力,这款MOSFET同样适合用于**电动工具**和**汽车电子**的应用,确保高效的功率转换与管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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