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N2500N-T1B-AT-VB 产品详细

产品简介:

一、N2500N-T1B-AT-VB 产品简介
N2500N-T1B-AT-VB 是一款**单 N 沟道 MOSFET**,采用小型 **SOT23-3** 封装,适合空间受限的应用。其**漏源电压(VDS)**为 **200V**,支持中高电压的工作需求,栅极电压(VGS)额定值为 ±20V,具有较强的抗噪性和稳定性。该 MOSFET 的开启阈值电压(Vth)为 2.5V,使其在低电压驱动下也能正常工作。在 **VGS=10V** 时,其**导通电阻(RDS(on))**为 **1400mΩ**,并能够承载 **0.6A** 的漏极电流。这一 MOSFET 基于先进的**沟槽(Trench)工艺**制造,具有出色的开关性能和能效表现,非常适用于信号控制、小功率转换以及保护电路等应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
二、N2500N-T1B-AT-VB 详细参数说明

| **参数** | **符号** | **数值** | **单位** | **说明** |
|---------------------|--------------|----------------------------|------------------|-----------------------------------|
| **Drain-Source 电压** | VDS | 200 | V | 漏源之间的最大耐压 |
| **Gate-Source 电压** | VGS | ±20 | V | 栅源之间的最大额定电压 |
| **开启阈值电压** | Vth | 2.5 | V | MOSFET 开启所需的栅极电压 |
| **导通电阻** | RDS(on) | 1400 (VGS=10V) | mΩ | 漏源通路的电阻值 |
| **连续漏极电流** | ID | 0.6 | A | 允许的最大连续漏极电流 |
| **技术工艺** | - | 沟槽工艺 (Trench) | - | 提供优异的开关性能与能效 |
| **封装** | - | SOT23-3 | - | 小型封装,适合紧凑空间应用 |

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领域和模块应用:

三、应用领域与模块示例

1. **信号控制与驱动电路**
N2500N-T1B-AT-VB 在小电流信号放大与控制领域表现优异,适用于继电器、开关等信号驱动电路。

2. **电源保护与电流检测电路**
由于其导通电阻适中,该器件适合用在小型电源模块的过流保护电路中,能够在电路异常时快速断开,以保护负载和系统。

3. **智能家居设备**
在智能家居设备中,如传感器模块和低功耗控制器,该 MOSFET 能提供稳定的电流开关与驱动功能。

4. **便携式设备电源管理**
在便携设备中,该器件的小尺寸封装和高效的开关性能使其成为电池管理模块的理想选择,帮助提升能效并延长电池寿命。

5. **照明与LED驱动**
N2500N-T1B-AT-VB 可应用于 LED 照明设备的小型驱动电路中,确保高效的电流控制,并延长灯具的使用寿命。

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N2500N-T1B-AT-VB 凭借其高电压耐受性、小型封装和出色的开关性能,非常适合在小型电子设备、智能家居模块以及低功率电路中使用,是一个高效、稳定且灵活的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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