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MTN7002ZHN3-VB 产品详细

产品简介:

**产品简介:MTN7002ZHN3-VB MOSFET**

MTN7002ZHN3-VB是一款高性能的**单N通道MOSFET**,采用紧凑的**SOT23-3封装**,非常适合用于空间有限的应用。该器件的**漏源电压(VDS)可达60V**,能够在高电压环境下稳定运行,广泛应用于各种电源管理和开关电路中。其**栅源电压(VGS)范围为±20V**,确保其在多种操作条件下的安全性和可靠性。

该MOSFET的**阈值电压(Vth)为1.7V**,使其能够在较低的栅电压下迅速导通,提高开关效率。**导通电阻(RDS(ON))**在**VGS=4.5V时为3100mΩ**,在**VGS=10V时为2800mΩ**,虽然相对较高,但适合于小电流(最大漏极电流ID为0.3A)的应用,特别是在低功耗电路中。采用**沟槽技术**(Trench)制造,进一步提升了其性能与热管理能力,确保在高效运行的同时减少功耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
**详细参数说明**

| **参数** | **数值** | **说明** |
|------------------------|------------------------|----------|
| **封装类型** | SOT23-3 | 紧凑的表面贴装封装,适用于空间有限的设计 |
| **配置** | Single-N-Channel | 单通道设计,适用于多种电源开关应用 |
| **VDS(漏源电压)** | 60V | 能够承受的最大漏源电压 |
| **VGS(栅源电压)** | ±20V | 最大栅极驱动电压 |
| **Vth(阈值电压)** | 1.7V | 开启所需的最小栅极电压 |
| **RDS(ON)@VGS=4.5V** | 3100mΩ | 在4.5V栅极驱动电压下的导通电阻 |
| **RDS(ON)@VGS=10V** | 2800mΩ | 在10V栅极驱动电压下的导通电阻 |
| **ID(漏极电流)** | 0.3A | 最大连续漏极电流 |
| **技术** | Trench | 沟槽技术,提供良好的电气性能和热管理 |

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领域和模块应用:

**应用领域与模块示例**

1. **低功耗开关电路**
MTN7002ZHN3-VB适合用于低功耗应用,如电源开关和控制电路,能够以较小的尺寸实现高效的开关操作,广泛用于便携式电子设备和消费类产品中。

2. **LED驱动**
该MOSFET可以用于LED驱动电路中,提供对LED的精确控制,适合用于背光和照明应用,保证其在低功耗条件下高效稳定地工作。

3. **电池管理**
在电池管理系统中,MTN7002ZHN3-VB可以作为开关元件,用于电池的充电和放电管理,确保电池在安全和高效的条件下运行。

4. **信号开关**
由于其较小的封装和适中的电流能力,该器件可以用作信号开关,适合用于音频和视频设备中信号的选择和切换。

5. **家用电器**
该MOSFET可以用于小型家电的电源管理和控制电路中,确保设备在正常工作条件下的高效运行。

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MTN7002ZHN3-VB凭借其紧凑的设计和良好的性能,适用于多种低功耗应用和开关电路,成为现代电子产品中不可或缺的关键组件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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