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MTN7002N3-VB 产品详细

产品简介:

MTN7002N3-VB 产品简介

**MTN7002N3-VB** 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 **SOT23-3 封装**,旨在满足中等功率和高电压应用的需求。其 **漏极-源极电压 (VDS)** 可高达 **60V**,使其在多种电气环境中表现出色。该器件的 **最大漏电流 (ID)** 为 **0.3A**,适合用于小型电源管理和开关应用。**MTN7002N3-VB** 的导通电阻在 **VGS=10V** 时为 **2800mΩ**,在较高电压时确保低能量损耗,提升系统效率。结合 **Trench 技术**,该 MOSFET 具备快速开关特性,适合高频操作,是许多电子产品中理想的选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
MTN7002N3-VB 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术类型**: Trench
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C

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领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **便携式电子设备**:MTN7002N3-VB 常用于手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理电路,可以有效控制电流并提高电池使用效率,满足消费者对电池续航的高要求。

2. **LED 驱动**:该 MOSFET 适用于小功率 LED 驱动电路,在较高的电压下能够稳定工作,适合用于家居照明和商业照明产品中,帮助实现高效能的光源控制。

3. **电动机控制**:在低功率电动机应用中,MTN7002N3-VB 可作为开关元件,广泛应用于小型电动机和风扇驱动,提供精确的电流控制和高效的能量转换。

4. **智能家居设备**:该 MOSFET 可用于智能家居中的开关和控制模块,支持与微控制器的配合使用,实现智能控制和高效管理。

5. **计算机周边设备**:在计算机外设和周边设备中,MTN7002N3-VB 可用作电源开关,提高电源管理的灵活性和效率,适合用于打印机、扫描仪等设备。

总结来说,MTN7002N3-VB 是一款高效、灵活的 N 沟道 MOSFET,适合应用于多种领域和模块中,能够显著提升电子产品的性能和能效。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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