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MMFTN20-VB 产品详细

产品简介:

**一、MMFTN20-VB 产品简介**
MMFTN20-VB是一款**单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET**,采用SOT23-3封装,专为高效开关和低功耗应用设计。该器件支持的**漏源电压(VDS)**为60V,具备±20V的**栅源电压(VGS)**范围,确保在多种电气条件下的可靠性能。其**导通电阻(RDS(ON))**在4.5V和10V栅极驱动下分别为3100mΩ和2800mΩ,适合需要较低导通损耗的应用。MMFTN20-VB采用**Trench(沟槽型)技术**,提供卓越的电气性能和热管理,广泛应用于电源管理、开关电源和消费电子等多个领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
**二、MMFTN20-VB 详细参数说明**

| **参数** | **数值** | **描述** |
|------------------------|-----------------------------|----------------------------------------|
| **封装** | SOT23-3 | 3引脚封装,适合空间有限的应用 |
| **沟道类型** | 单N沟道(Single-N-Channel) | 支持单个N通道的开关功能 |
| **漏源电压 (VDS)** | 60V | 最大支持的漏极与源极之间的电压 |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V | 支持的栅极驱动电压范围 |
| **开启电压 (Vth)** | 1.7V | N通道的开启电压 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 3100mΩ @ VGS = 4.5V
2800mΩ @ VGS = 10V | 在不同栅极驱动下的导通电阻 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 0.3A | 支持的最大连续电流 |
| **技术** | Trench(沟槽型) | 降低导通电阻,提高器件效率 |

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领域和模块应用:

**三、应用领域及模块举例说明**
MMFTN20-VB MOSFET因其单N通道设计和良好的电气性能,适合多种应用领域,以下是一些典型应用:

1. **电源管理系统**
- 在DC-DC转换器和开关电源中,MMFTN20-VB可作为高效开关元件,提升电源的转换效率,广泛应用于移动设备和便携式电子产品。

2. **低功耗设备**
- 该MOSFET非常适合用于低功耗应用,如传感器电源管理和低功耗无线通信设备,有助于延长电池使用寿命。

3. **LED驱动电路**
- 在LED照明应用中,MMFTN20-VB可以作为开关元件控制LED灯的开关和调光,实现高效的亮度调节,适用于家庭照明和装饰灯光。

4. **消费电子产品**
- 适用于各种家用电器和消费电子产品中的开关电源,确保在不同工作条件下的高效性和可靠性,提高设备的能效。

5. **电机驱动**
- 在小功率电机控制中,MMFTN20-VB可作为开关元件用于电机驱动应用,满足精确控制的需求,适合用于风扇和泵等设备。

MMFTN20-VB的高效能和单N通道配置使其在**电源管理、低功耗设备及消费电子**等领域具有广泛的应用潜力。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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