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MMFTN138-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:MMFTN138-VB MOSFET

MMFTN138-VB是一款单N通道MOSFET,采用SOT23-3封装,设计用于低电压和小电流应用。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为60V,支持最大±20V的栅源电压(VGS),适合于各种开关和控制电路。其阈值电压(Vth)为1.7V,能够在较低电压下实现有效开关。此外,MMFTN138-VB基于**Trench技术**,在4.5V和10V的栅电压下,分别具有较高的导通电阻(RDS(ON))为3100mΩ和2800mΩ,适合于小功率设备的应用,确保高效能和可靠性。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

| **参数** | **数值** | **说明** |
|------------------------|-----------------------|----------|
| **封装类型** | SOT23-3 | 紧凑的3脚封装,适合空间有限的设计 |
| **配置** | Single-N-Channel | 单N通道配置,适合单向控制 |
| **VDS(漏源电压)** | 60V | 最大耐受漏源电压 |
| **VGS(栅源电压)** | ±20V | 最大允许栅极电压 |
| **Vth(阈值电压)** | 1.7V | 开启的最低栅电压 |
| **RDS(ON)@VGS=4.5V** | 3100mΩ | 导通电阻(4.5V时) |
| **RDS(ON)@VGS=10V** | 2800mΩ | 导通电阻(10V时) |
| **ID(漏极电流)** | 0.3A | 最大连续漏极电流 |
| **技术** | Trench | 先进的沟槽技术,提供优良的导电性能 |

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领域和模块应用:

应用领域与模块示例

1. **便携式电子设备**
- **应用示例**:用于智能手机、平板电脑等便携设备中的负载开关
- **优势**:由于其较小的封装和高效能,MMFTN138-VB能够在有限的空间内实现可靠的电源管理和负载控制,适合便携式设备的需求。

2. **LED照明控制**
- **应用示例**:在LED灯具中作为驱动开关
- **优势**:其低电压和高效率的特点使其能够有效控制LED的开关状态和亮度,广泛应用于室内照明和景观照明中。

3. **电源管理**
- **应用示例**:用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中
- **优势**:MMFTN138-VB能够提供高效的电源转换和管理,降低功耗,提升电源效率,适合多种电源管理系统。

4. **小功率电机驱动**
- **应用示例**:在风扇和小型电动工具中的电机控制
- **优势**:其最大漏极电流为0.3A,适合小功率电机的驱动与控制,实现精确的运动控制。

MMFTN138-VB凭借其紧凑的设计和高效的性能,广泛应用于便携式电子产品、LED照明以及电源管理等领域,为现代电子设备提供可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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