推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

MMBT7002K-VB 产品详细

产品简介:

一、MMBT7002K-VB 产品简介
MMBT7002K-VB 是一种 **单 N-沟道 (N-Channel) MOSFET**,采用 **SOT23-3** 封装,具有高效能和紧凑设计的特点。该器件基于 **沟槽(Trench)技术**,能够在较高的漏源电压 (VDS) 下正常工作,最大可达 60V。其栅源电压 (VGS) 范围为 ±20V,适合多种电源管理和开关应用。通过优化的导通电阻 (RDS(ON)),该器件在栅电压为 4.5V 和 10V 时分别为 3100mΩ 和 2800mΩ,使得其在节能和高效运行方面表现优越。最大漏极电流 (ID) 为 0.3A,使得该器件非常适合小功率应用。

---

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、MMBT7002K-VB 参数说明
| **参数** | **描述** | **值** |
|--------------------------|------------------------------------|-------------------------------|
| **型号** | - | MMBT7002K-VB |
| **封装** | - | SOT23-3 |
| **配置** | - | 单 N-沟道 |
| **漏源电压 (VDS)** | 最大耐压 | 60V |
| **栅源电压 (VGS)** | 最大耐压 | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 栅极电压达到导通时的最小电压 | 1.7V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | VGS = 4.5V 时 | 3100mΩ |
| | VGS = 10V 时 | 2800mΩ |
| **漏极电流 (ID)** | 最大持续电流 | 0.3A |
| **工作技术** | - | 沟槽 (Trench) |

---

领域和模块应用:

三、MMBT7002K-VB 的应用领域和模块
1. **低功率开关电源**
- MMBT7002K-VB 可用于低功率开关电源设计中,尤其在需要高电压耐受的场合。其低 RDS(ON) 能够有效减少开关损耗,提高整体能效。

2. **电源管理模块**
- 在各种消费电子设备中,如智能手机、平板电脑等,作为电源管理开关,能够控制电源的开启和关闭,提升设备的使用寿命和续航能力。

3. **电机控制**
- 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路,支持低电流的电机控制应用,适合电动玩具和便携式设备中。

4. **LED 驱动电路**
- MMBT7002K-VB 适用于 LED 驱动电路中,能够提供稳定的电流,保证 LED 的亮度一致性。

5. **信号开关**
- 在低功率信号开关应用中,可以用于切换不同的信号路径,提供灵活的信号控制方案。

由于 MMBT7002K-VB 的低导通电阻和高电压耐受能力,使其在各种电子电路中都能发挥良好的性能,特别是在对功率和空间有严格要求的设计中表现突出。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询