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MMBF170-7-F-VB 产品详细

产品简介:

**一、MMBF170-7-F-VB 产品简介**
MMBF170-7-F-VB是一款**单N沟道(Single-N-Channel)MOSFET**,采用紧凑的SOT23-3封装,专为空间有限的应用而设计。其最大**漏源电压(VDS)**可达到60V,具有高达±20V的**栅源电压(VGS)**范围,使其适用于多种电源和开关应用。该器件的**导通电阻(RDS(ON))**在4.5V和10V的栅极驱动下分别为3100mΩ和2800mΩ,确保其在负载开关时表现出色。利用**Trench(沟槽型)技术**,MMBF170-7-F-VB提供高效的电流处理能力,非常适合用于电源管理及信号处理。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
**二、MMBF170-7-F-VB 详细参数说明**

| **参数** | **数值** | **描述** |
|------------------------|-------------------------------|----------------------------------------|
| **封装** | SOT23-3 | 小型3引脚封装,节省PCB空间 |
| **沟道类型** | 单N沟道(Single-N-Channel) | 适用于负载驱动和开关控制应用 |
| **漏源电压 (VDS)** | 60V | 最大支持的漏极与源极之间的电压 |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V | 支持的栅极驱动电压范围 |
| **开启电压 (Vth)** | 1.7V | 栅极开启电压 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 3100mΩ @ VGS = 4.5V
2800mΩ @ VGS = 10V | 在不同栅极驱动下的导通电阻 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 0.3A | 支持的最大连续电流 |
| **技术** | Trench(沟槽型) | 降低导通电阻,提高器件效率 |

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领域和模块应用:

**三、应用领域及模块举例说明**
MMBF170-7-F-VB MOSFET的设计使其适合多种应用领域和模块,以下是一些典型应用:

1. **电源管理系统**
- 在DC-DC转换器中,MMBF170-7-F-VB可以作为开关元件,提升电源转换的效率,同时降低导通损耗,适用于便携式电子设备和电池供电系统。

2. **信号开关**
- 该MOSFET适用于各种信号开关应用,如音频和视频信号的选择和切换,确保快速响应和可靠性能。

3. **电动工具**
- 在电动工具和马达控制中,MMBF170-7-F-VB可用于负载开关,能够处理高达0.3A的电流,满足小型电机的控制需求。

4. **消费电子产品**
- 由于其小巧的封装,适合用在智能家居设备、传感器和可穿戴设备等多种消费电子产品中,提供稳定的电源管理。

5. **LED驱动电路**
- 可用于LED驱动电路中,作为开关元件控制LED灯的开关,确保高效的亮度调节和电流控制。

MMBF170-7-F-VB的高效能和多功能性使其成为广泛应用于**电源管理、信号处理和消费电子**领域的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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