产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
二、MEBSS138-VB MOSFET 详细参数说明
| **参数** | **值** | **说明** |
|------------------------|--------------------------------|------------------------------------------|
| **封装类型** | SOT23-3 | 紧凑型封装，适合空间有限的电子设备 |
| **MOSFET类型** | 单N通道（Single N-Channel） | 适用于正向电流控制的应用 |
| **漏源电压 (V_DS)** | 60V | 最大漏-源电压，适合高压应用 |
| **栅源电压 (V_GS)** | ±20V | 栅极电压范围，确保灵活的控制能力 |
| **开启电压 (V_th)** | 1.7V | 栅源电压达到此值时开始导通 |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 3100mΩ @ V_GS=4.5V | 在4.5V栅压下的导通电阻 |
| **导通电阻 (R_DS(ON))** | 2800mΩ @ V_GS=10V | 在10V栅压下的导通电阻 |
| **最大漏极电流 (I_D)** | 0.3A | 能承载的最大漏极电流 |
| **技术** | Trench | 采用沟槽技术，提升性能并降低导通损耗 |
---
领域和模块应用：
三、MEBSS138-VB 的应用领域与模块示例
1. **低功耗开关**
MEBSS138-VB适合用于各种低功耗开关应用，能够有效控制小型电机、风扇和LED等负载的通断。由于其较低的导通电压，适合在电池供电的设备中使用。
2. **电源管理**
在电源管理模块中，该MOSFET可用于DC-DC转换器和电源分配，确保稳定的电流传输，优化电源效率，适用于移动设备和消费电子产品。
3. **信号放大**
由于其适中的功率和导通电阻，MEBSS138-VB可用于音频放大器和信号调制解调器等应用，提供高质量的信号放大和传输。
4. **自动化设备**
该器件也非常适合用于自动化和控制系统，如传感器和执行器控制。它能迅速响应控制信号，确保系统高效稳定的运行。
5. **通信设备**
在通信模块中，MEBSS138-VB能够用作开关元件，控制信号的传递，确保高效的数据交换，适用于无线通信和网络设备。
通过其卓越的性能和广泛的应用领域，MEBSS138-VB成为各种电子产品和模块中的理想选择，满足现代设计对小型化和高效能的需求。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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