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ME2N7002D2-VB 产品详细

产品简介:

一、**ME2N7002D2-VB 产品简介**
ME2N7002D2-VB 是一款高效的单N沟道MOSFET,采用 **SOT23-3** 封装,专为低功耗应用和开关控制设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为 **60V**,适合中等电压的应用,结合 ±20V 的栅源电压(VGS),提供了广泛的操作范围。阈值电压为 **1.7V**,在较低的电压下即可开启,增强了其适用性。导通电阻在VGS为4.5V和10V时分别为 **3100mΩ** 和 **2800mΩ**,使其在低功耗和低热量生成方面表现良好。ME2N7002D2-VB 采用 **Trench 技术**,进一步提高了效率,适合用于需要高频率和快速开关的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、**详细参数说明**

| **参数** | **符号** | **数值** | **单位** | **说明** |
|-----------------------|--------------|--------------------------|--------------|------------------------------|
| 漏源电压 | VDS | 60 | V | 最大承受的漏源电压 |
| 栅源电压 | VGS | ±20 | V | 栅极可承受的电压范围 |
| 阈值电压 | Vth | 1.7 | V | MOSFET 开启所需的最小电压 |
| 导通电阻 (4.5V) | RDS(ON) | 3100 | mΩ | VGS=4.5V 时的导通电阻 |
| 导通电阻 (10V) | RDS(ON) | 2800 | mΩ | VGS=10V 时的导通电阻 |
| 最大漏极电流 | ID | 0.3 | A | 最大连续漏极电流 |
| 封装类型 | - | SOT23-3 | - | 小型封装,适合紧凑电路设计 |
| 技术类型 | - | Trench | - | 低导通电阻、高密度沟槽技术 |

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领域和模块应用:

三、**应用领域及模块示例**
1. **消费电子:智能手机和便携式设备**
- ME2N7002D2-VB 可用于 **智能手机的电源管理** 和 **便携式设备** 中,作为开关元件,降低功耗,延长电池续航。

2. **开关电源和DC-DC转换器**
- 在 **开关电源和DC-DC转换器** 中,作为高频开关使用,有助于实现高效的电能转换。

3. **LED驱动电路**
- 适合用于 **LED照明驱动**,其较低的导通电阻可以有效控制电流,提升LED灯的性能和寿命。

4. **工业控制:传感器和执行器控制**
- 在 **工业控制系统** 中,用于驱动小型传感器和执行器,通过快速开关实现对设备的精确控制。

ME2N7002D2-VB 在多个领域中展现出卓越的性能,尤其适合低功耗、高频应用中的开关控制和电源管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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