推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

ME2326B-VB 产品详细

产品简介:

一、ME2326B-VB 产品简介
ME2326B-VB 是一款 **高压 N-沟道 MOSFET**,采用 **SOT23-3 封装**,专为中等功率应用设计。其 **VDS** 额定值为 **200V**,适用于需要高电压耐受性的场合。该器件的 **阈值电压 (Vth)** 为 **2.5V**,可确保在较低的栅极电压下实现快速导通。ME2326B-VB 的 **导通电阻 (RDS(ON))** 在 **VGS=10V** 时为 **1400mΩ**,支持 **0.6A 的最大漏极电流 (ID)**,适合各种开关电源和驱动电路。

---

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
二、ME2326B-VB 详细参数说明
| **参数** | **值** | **说明** |
|---------------------|--------------------------------|-----------------------------------------|
| **封装类型** | SOT23-3 | 紧凑型封装,适合小型化电路设计。 |
| **配置** | 单 N-沟道 | 提供高效的单通道开关控制。 |
| **漏源电压 (VDS)** | 200V | 适用于高电压输入的电路。 |
| **栅源电压 (VGS)** | ±20V | 可承受高达 ±20V 的栅极驱动电压。 |
| **阈值电压 (Vth)** | 2.5V | 适合快速开关应用的低阈值电压。 |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 1400mΩ @ VGS=10V | 提供较低的导通损耗,提高能效。 |
| **最大漏极电流 (ID)** | 0.6A | 器件在特定条件下的最大连续漏极电流。 |
| **技术类型** | Trench | 沟槽技术设计,优化了导通性能。 |
| **应用温度范围** | -55°C 至 +150°C | 适应各种极端温度环境。 |

---

领域和模块应用:

三、ME2326B-VB 的应用领域与模块示例
1. **开关电源**
ME2326B-VB 适用于 **开关电源 (SMPS)** 中,尤其是在高压输出阶段。其高压耐受能力能够处理 200V 的输入电压,确保电源转换的稳定性与可靠性。

2. **LED 驱动电路**
在 **LED 照明驱动电路** 中,该 MOSFET 可用于调节恒流输出,为 LED 提供稳定的工作条件。其导通电阻表现良好,能够有效减少发热,提高系统效率。

3. **电机控制**
该器件在 **电机控制应用** 中表现出色,能够用于低功率直流电机的驱动。其低阈值电压和较高的电压耐受性使得 ME2326B-VB 能够在多种驱动条件下提供可靠的开关性能。

4. **消费电子产品**
ME2326B-VB 也适合用于各种 **消费电子产品** 的电源管理和开关电路中,例如家用电器、智能家居设备等。其小型化封装适合在空间有限的设备中使用。

---

ME2326B-VB 的 **沟槽技术设计** 确保了其在 **高电压应用中的稳定性和效率**,使其适用于 **开关电源、LED 驱动、电机控制** 和 **消费电子产品** 等多个领域。该器件为现代电子设备提供了可靠的解决方案,满足了高效能与小型化的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询