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ME2326A-VB 产品详细

产品简介:

一、ME2326A-VB 产品简介
ME2326A-VB 是一款**单 N-沟道 MOSFET**,采用 **SOT23-3** 封装,设计用于高电压和低电流的应用。其最大漏源电压(VDS)高达 **200V**,适合需要处理高电压的电源管理电路。该器件的栅源电压(VGS)范围为 ±20V,阈值电压(Vth)为 **2.5V**,在较低的栅极驱动电压下即可导通。通过**Trench(沟槽型)技术**,ME2326A-VB 的导通电阻(RDS(ON))在 VGS 为 10V 时为 **1400mΩ**,最大连续漏极电流(ID)为 **0.6A**,使其在小型设备中提供可靠的性能和功率效率。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
二、ME2326A-VB 详细参数说明
| **参数名称** | **数值** | **单位** | **说明** |
|---------------------|-------------------|-----------|-------------------------------------------|
| **封装类型** | SOT23-3 | - | 小型表面贴装封装,适合高密度 PCB 设计 |
| **通道配置** | 单 N 沟道 | - | 适用于开关和电源管理应用 |
| **最大漏源电压 (VDS)** | 200 | V | 最大承受的漏极-源极电压 |
| **最大栅源电压 (VGS)** | ±20 | V | 栅极-源极电压的安全工作范围 |
| **阈值电压 (Vth)** | 2.5 | V | 器件开始导通时的最小栅极电压 |
| **导通电阻 (RDS(ON))**| 1400 | mΩ | VGS=10V 时的导通电阻 |
| **最大连续电流 (ID)** | 0.6 | A | 最大连续漏极电流 |
| **技术类型** | Trench | - | 沟槽型技术,提升电流密度并降低导通电阻 |
| **工作温度范围** | -55 ~ 150 | ℃ | 器件的安全工作温度区间 |
| **安装方式** | 表面贴装 | - | 便于自动化生产和小型化 PCB 设计 |

领域和模块应用:

三、应用领域与模块示例

1. **电源管理系统**
ME2326A-VB 适用于**高压开关电源**和**DC-DC 转换器**,能够在高电压环境中实现高效的开关控制,适合用于电源适配器和充电器等设备。

2. **LED 驱动器**
该 MOSFET 可以用作**LED 驱动器中的开关元件**,在高电压条件下实现高效的灯光控制,适合于各种照明应用。

3. **通信设备**
在通信设备中,ME2326A-VB 可用作**信号调理电路**的开关元件,处理高电压信号,确保信号的稳定性和可靠性。

4. **工业控制系统**
该器件可广泛应用于**工业控制中的负载开关**,在较高电压下提供可靠的开关操作,适合用于电动机控制和自动化设备。

总之,ME2326A-VB 由于其高电压处理能力和可靠的性能,广泛适用于电源管理、LED 驱动、通信设备和工业控制等多个领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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