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LBSS123LT1G-VB 产品详细

产品简介:

以下是 LBSS123LT1G-VB MOSFET 的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的示例。

### 一、产品简介

LBSS123LT1G-VB 是一款高性能的单极 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为低功耗和小型化设计的应用而开发。该器件的最大漏极-源极电压(VDS)为 100V,适合多种电源管理和开关应用。LBSS123LT1G-VB 的阈值电压(Vth)为 1.5V,使其能够在较低的栅压下可靠开启。其导通电阻(RDS(ON))在 VGS = 4.5V 时为 3000mΩ,在 VGS = 10V 时为 2800mΩ,展现出优异的导通性能。尽管 ID 最大为 0.26A,但该器件的设计非常适合低功耗设备和高效能应用,确保系统整体的能效。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 100V 20(±V) 1.5V 0.26A 2800mΩ

### 二、详细参数说明

- **型号**: LBSS123LT1G-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单极 N 沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 100V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3000mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.26A
- **技术**: Trench 技术

###

领域和模块应用:

三、适用领域和模块示例

LBSS123LT1G-VB MOSFET 可广泛应用于多个领域和模块,以下是一些具体的示例:

1. **便携式电子设备**:
- 在智能手机、平板电脑等便携式设备中作为电源开关,以实现高效的电源管理,延长电池续航。

2. **低功耗电源适配器**:
- 在 AC-DC 转换器中用作开关元件,适用于小型电源适配器,降低功耗并提高转换效率。

3. **LED 驱动电路**:
- 在 LED 照明模块中用作开关,以实现高效的驱动和控制,满足节能照明的需求。

4. **自动化控制系统**:
- 在传感器和执行器的控制电路中,作为开关元件,确保高效的信号传输和控制。

5. **电动工具**:
- 在小型电动工具中,用作电机控制开关,能够在低电流条件下实现高效的驱动。

6. **工业应用**:
- 在工控设备中,作为开关或信号控制器,确保在低功耗和高效能下运行。

以上信息为 LBSS123LT1G-VB MOSFET 的详细产品说明和应用示例,帮助理解其特性及适用领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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