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KIA3423-VB 产品详细

产品简介:

一、KIA3423-VB 产品简介

KIA3423-VB 是一款高性能单 P 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装设计,专为低电压开关和驱动应用而优化。这款 MOSFET 的最大漏源极电压 (VDS) 为 -20V,漏极电流 (ID) 达到 -4A,适合在多种小型电子设备中使用。其栅源极电压范围为 ±12V,启用门限电压 (Vth) 为 -0.8V,确保在较低的栅极电压下就能实现导通。KIA3423-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 在不同的栅极电压下表现出色,分别为 80mΩ@VGS=2.5V、65mΩ@VGS=4.5V 和 60mΩ@VGS=10V。采用先进的 Trench 技术,使得该 MOSFET 在高效能和小型化设计中具有广泛的应用前景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
二、KIA3423-VB 详细参数说明

- **封装 (Package):** SOT23-3
- **配置 (Configuration):** 单 P 沟道 (Single-P-Channel)
- **漏源极电压 (VDS):** -20V
- **栅源极电压 (VGS):** ±12V
- **门限电压 (Vth):** -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID):** -4A
- **技术 (Technology):** Trench

领域和模块应用:

三、应用领域及模块举例

1. **便携式电子设备:**
KIA3423-VB 的小型封装和高效能特性使其非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中的电源管理和负载开关。它可以在充电电路和电源开关中有效减少功耗,从而延长电池寿命。

2. **LED 驱动器:**
在 LED 照明应用中,KIA3423-VB 可以作为高效的驱动开关,用于调节 LED 的亮度和控制电流。这种 MOSFET 的低导通电阻有助于提高系统效率,降低热量产生,确保 LED 在最佳状态下工作。

3. **电源管理模块:**
在各种电源管理模块中,KIA3423-VB 可以用于负载开关和电源分配。这款 MOSFET 的可靠性和高效性能使其能够满足高要求的电源管理应用,确保设备在不同工作条件下稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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