KIA3415-VB - VBsemi MOS管制造商

KIA3415-VB 产品详细

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产品简介：

一、KIA3415-VB 产品简介

KIA3415-VB 是一款高效能的单P沟道MOSFET，采用SOT23-3封装，专为低压高效开关应用设计。它的漏源电压（VDS）为-30V，适合在负压环境中工作。该MOSFET的栅源电压（VGS）可承受±20V，阈值电压（Vth）为-1.7V，确保在较低栅源电压下能够迅速导通。KIA3415-VB的导通电阻（RDS(ON)）在VGS为4.5V时为54mΩ，在VGS为10V时为46mΩ，最大漏极电流为-5.6A。基于沟槽（Trench）技术，这款MOSFET在高效率和低功耗方面表现出色，适合广泛的电子应用。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-P	-30V	20（±V）	-1.7V	-5.6A			46mΩ

二、KIA3415-VB 详细参数说明

| 参数 | 值 |
|----------------|----------------------------|
| 封装类型 | SOT23-3 |
| 配置 | 单P沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | -30V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | -1.7V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @VGS=4.5V | 54mΩ |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @VGS=10V | 46mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | -5.6A |
| 技术 | 沟槽（Trench） |

领域和模块应用：

三、KIA3415-VB 适用领域及模块示例

1. **负载开关应用**
KIA3415-VB 由于其P沟道特性和较低的导通电阻，非常适合用作负载开关。它可以用于电源管理电路中的开关控制，例如在电池供电的设备中，实现对负载的高效控制，以延长电池使用寿命。

2. **逆变器和DC-DC转换器**
在逆变器和DC-DC转换器中，KIA3415-VB可用于实现高效的电能转换。其负压能力和优异的导通性能使其能够有效地处理电能转换过程中的高电流，确保高效率和低能耗。

3. **LED照明**
该MOSFET也广泛应用于LED驱动电路中。KIA3415-VB能作为调光开关，帮助实现对LED的精确控制，提供稳定的输出电流，增强照明效果并降低功耗。

4. **音频放大器**
在音频放大器设计中，KIA3415-VB可以用作开关元件，提供优质的音频信号传输。其低导通电阻能够减少信号失真，确保音频输出的清晰度和稳定性。

这些应用示例展示了KIA3415-VB的高效能和广泛适用性，尤其是在需要可靠性和低功耗的负压电子设计中。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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