KIA2306-VB - VBsemi MOS管制造商

KIA2306-VB 产品详细

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产品简介：

一、KIA2306-VB产品简介

KIA2306-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用SOT23-3封装设计。它的主要特性包括30V的漏源电压（VDS），±20V的栅源电压（VGS），以及低至1.7V的开启电压（Vth）。该MOSFET基于沟槽式（Trench）技术制造，具有极低的导通电阻，确保在低栅极电压下也能高效工作。在VGS为4.5V时，导通电阻为33mΩ，而在VGS为10V时，导通电阻降至30mΩ，最大连续漏极电流为6.5A。该器件适用于高效率、低损耗的功率转换及开关电路。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-N	30V	20（±V）	1.7V	6.5A			30mΩ

二、KIA2306-VB详细参数说明

| 参数 | 值 |
|----------------|----------------------------|
| 封装类型 | SOT23-3 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压 (VDS) | 30V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @VGS=4.5V | 33mΩ |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @VGS=10V | 30mΩ |
| 最大漏极电流 (ID) | 6.5A |
| 技术 | 沟槽式（Trench） |

领域和模块应用：

三、KIA2306-VB适用领域及模块示例

1. **电源管理模块**
KIA2306-VB 由于其低导通电阻和沟槽式技术的优异性能，适合用于DC-DC转换器、电源适配器等电源管理模块。这些应用要求高效率和低能量损耗，KIA2306-VB 能通过快速开关和低导通电阻提供卓越的电源转换效率。

2. **电机驱动电路**
在需要低功耗和快速响应的场合，如小型电机驱动电路中，KIA2306-VB可用于作为开关元件，帮助实现快速启动和停止，减少电流损耗，同时提升系统的整体可靠性。

3. **消费电子设备**
该MOSFET广泛适用于便携式电子产品中的负载开关和低压应用，比如智能手机、平板电脑及便携式音频设备。其小型封装和高效开关能力使其特别适合在空间有限的电路设计中使用。

4. **通信设备**
KIA2306-VB 也能应用在无线通信设备中，如WIFI模块和射频放大器，用于提升信号传输的效率和系统的稳定性。

这些领域和应用模块都得益于KIA2306-VB的低导通电阻、低开关损耗及高效的电流处理能力。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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