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KIA2305-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
KIA2305-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,小巧紧凑,非常适合对空间有严格要求的设计。该器件的漏源电压(VDS)为-20V,栅极电压(VGS)为±12V,能够在低电压环境下提供稳定的开关功能。其开启阈值电压(Vth)为-0.8V,具有多种导通电阻(RDS(ON))选项,分别在VGS=2.5V、4.5V和10V时提供80mΩ、65mΩ和60mΩ的导通电阻,确保在不同栅极驱动条件下的高效能。最大漏极电流(ID)为-4A,采用先进的沟槽(Trench)技术,优化了导通性能和电流处理能力,广泛应用于便携式设备、低电压开关和负载开关电路中。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
产品参数详解
1. **封装类型**:SOT23-3,微型封装设计,适合空间受限的应用,如便携式设备和小型电子模块。
2. **漏源电压(VDS)**:-20V,适用于低电压的切换和控制应用。
3. **栅极电压(VGS)**:±12V,确保器件在安全范围内运行,适合较宽的栅极电压应用环境。
4. **开启阈值电压(Vth)**:-0.8V,适合低电压启动,能够在较低的栅极驱动电压下工作。
5. **导通电阻(RDS(ON))**:
- 80mΩ@VGS=2.5V
- 65mΩ@VGS=4.5V
- 60mΩ@VGS=10V
不同的导通电阻选项使该器件在不同的栅极驱动条件下提供优化的性能。
6. **漏极电流(ID)**:-4A,适合较高电流的低压开关应用。
7. **技术类型**:Trench,沟槽技术优化了导通特性,降低了损耗,提高了效率,特别适合在低电压环境下工作。

领域和模块应用:

应用领域与模块
1. **便携式设备**:KIA2305-VB的小封装和低功耗特性使其非常适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式设备中使用,用于电源管理、负载开关和低电压控制。

2. **低电压负载开关**:该P沟道MOSFET在低电压系统中作为负载开关,能够快速控制电路的开关状态,适用于笔记本电脑、数码相机和其他电子设备中的电源管理模块。

3. **DC-DC转换器**:KIA2305-VB适用于低压直流到直流转换器中的开关应用,能够有效地控制电能转换效率,广泛应用于电源模块和稳压器设计中。

4. **电池管理系统(BMS)**:该MOSFET可用于电池管理系统中的开关电路和保护电路,帮助控制充电和放电过程,确保锂离子电池组的稳定运行,适合用于电动工具和便携式电子设备。

5. **逆变器和电源模块**:KIA2305-VB在小功率逆变器和电源模块中用于实现高效的电能转换,适用于家庭和工业电源应用中的功率调节。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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