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K4147-T1B-AT-VB 产品详细

产品简介:

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K4147-T1B-AT-VB是一款采用SOT23-3封装的单N沟道MOSFET,专为中等电压应用而设计,具有良好的电气性能和可靠性。其击穿电压高达200V,适合用于各种需要高电压保护的电路。采用Trench工艺技术,该MOSFET具备较低的导通电阻和良好的开关特性,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 200V 20(±V) 2.5V 0.6A 1400mΩ
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- **封装类型**:SOT23-3
- **极性**:单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**:200V
- **栅极驱动电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1400mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:0.6A
- **技术工艺**:Trench

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领域和模块应用:

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1. **开关电源(SMPS)**:K4147-T1B-AT-VB非常适合用于开关电源(SMPS)中,能够在高电压条件下高效转换电能。其低导通电阻帮助降低系统能耗,广泛应用于电源适配器和各种电源模块中,提供稳定的输出电压。

2. **LED驱动电路**:在LED驱动器中,这款MOSFET可用于高压LED照明系统。其高击穿电压和适当的漏极电流使其在LED照明的开关控制中具备良好的性能,有效保护LED组件免受过压影响。

3. **电池管理系统(BMS)**:K4147-T1B-AT-VB适合用于电池管理系统,能够在充电和放电过程中提供可靠的开关控制,保护电池组免受过压和过流的影响,确保系统安全性和可靠性。

4. **汽车电子**:该MOSFET可以应用于汽车电子控制模块中,如电动窗、电动座椅和其他电机驱动设备。其高压特性和良好的开关性能确保了在汽车工作环境中的稳定运行。

K4147-T1B-AT-VB凭借其优越的电气性能和广泛的应用领域,成为多种电子设备中重要的功率控制元件。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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