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K2569ZN-TR-E-VB 产品详细

产品简介:

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K2569ZN-TR-E-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,设计用于低功率应用。其最大漏极-源极电压 (VDS) 为 60V,栅极-源极电压 (VGS) 为 ±20V,阈值电压 (Vth) 为 1.7V。该器件的导通电阻 (RDS(ON)) 在 VGS = 4.5V 时为 3100mΩ,在 VGS = 10V 时为 2800mΩ。其额定漏极电流 (ID) 为 0.3A。K2569ZN 的 Trench 技术设计使其在小型化电路中实现高效能,适用于各类低功率开关和驱动应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明:
- **封装类型**:SOT23-3
- **极性**:单 N 沟道
- **最大漏极-源极电压 (VDS)**:60V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench 技术
- **工作温度范围**:通常为 -55°C 至 150°C,具体范围可参考产品手册。

领域和模块应用:

应用领域与模块:
1. **便携式电子设备**:K2569ZN-TR-E-VB 非常适合用于智能手机、平板电脑及其他便携式电子设备中的电源管理模块,能够有效控制电源开关和优化功耗。

2. **LED 驱动器**:该 MOSFET 也适用于小型 LED 照明应用,能够提供稳定的电流驱动,保证 LED 的亮度和使用寿命,适合用于家居和商业照明。

3. **电池供电系统**:在电池供电的应用中,例如手持设备和可穿戴设备,K2569ZN 能够控制充电和放电过程,帮助延长电池的使用时间和提高效率。

4. **开关电源**:该器件适合用于低功率开关电源 (SMPS),在电源适配器和小型电源模块中实现高效的电源转换。

5. **小型电机驱动**:K2569ZN-TR-E-VB 也可用于小型直流电机的驱动控制,适合在家电、玩具和其他小型设备中使用。

K2569ZN-TR-E-VB 以其小巧的封装和较低的导通电阻,适用于多种低功率应用场景,如便携式电子设备、LED 驱动器以及小型电源管理模块,提供高效的电源开关解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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