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K2569-VB 产品详细

产品简介:

一、K2569-VB MOSFET 产品简介
K2569-VB 是一款高效能的单通道 N 型 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为小型电子设备和低功耗应用而设计。该器件具有最高漏源极电压(VDS)为 60V,适合处理中等电压场合。栅源极电压(VGS)为 ±20V,开启电压(Vth)为 1.7V,确保快速开启和关闭,适用于高频开关应用。在 VGS 为 10V 时,K2569-VB 的导通电阻(RDS(ON))为 2800mΩ,最大漏极电流(ID)为 0.3A,使其在低功耗电路中表现优异。该器件采用了先进的 Trench 技术,能够在减小体积的同时保持高效能,非常适合便携式电子设备和电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、K2569-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**:SOT23-3
- **配置**:单通道 N 型 MOSFET
- **漏源极电压(VDS)**:60V
- **栅源极电压(VGS)**:±20V
- **开启电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V 时:3100mΩ
- VGS = 10V 时:2800mΩ
- **最大漏极电流(ID)**:0.3A
- **技术**:Trench
- **工作温度范围**:-55°C 至 150°C
- **输入电容(Ciss)**:约 1000pF(典型)
- **最大功耗**:约 0.5W(典型)
- **封装引脚**:
- 引脚1:源极(Source)
- 引脚2:漏极(Drain)
- 引脚3:栅极(Gate)

领域和模块应用:

三、K2569-VB 应用领域与模块示例

1. **便携式电子设备**:K2569-VB 非常适合用于智能手机、平板电脑及可穿戴设备等小型电子产品中。由于其小巧的封装和低功耗特性,该器件能够有效管理电源,并提供稳定的开关性能。

2. **电源管理系统**:在电源管理模块中,K2569-VB 可以用于 DC-DC 转换器中,以实现高效的电源转换。其低导通电阻确保在转换过程中的能量损失最小化,提高整体系统效率。

3. **LED驱动电路**:该 MOSFET 适用于 LED 照明系统中的驱动电路,能够稳定控制 LED 的亮度和电流,确保长时间运行时的可靠性和效率。

4. **汽车电子**:K2569-VB 也可用于汽车电子控制模块中,例如在电动窗、照明和其他控制电路中。其高耐压和小体积特性非常适合现代汽车的电子设计需求。

总之,K2569-VB 是一款性能优越、应用广泛的 N 型 MOSFET,特别适用于要求低功耗和高效率的应用场景。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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