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K2373ZE-TL-E-VB 产品详细

产品简介:

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K2373ZE-TL-E-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装,特别设计用于低功耗应用。其漏源极电压(VDS)为60V,能够处理最高0.3A的漏极电流(ID)。在VGS为10V时,其导通电阻(RDS(ON))为2800mΩ,确保在各种工作条件下实现高效的电流传导。K2373ZE-TL-E-VB采用Trench技术,具备出色的开关特性和热稳定性,适用于广泛的电子设备和电源管理解决方案。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明:

- **型号**: K2373ZE-TL-E-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **沟道配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

应用领域及模块示例:

1. **低功耗开关电源**:
K2373ZE-TL-E-VB适合用于低功耗开关电源设计。由于其小巧的封装和高效率,可以有效地用于USB供电和其他小型电子设备的电源管理电路。

2. **LED驱动**:
该MOSFET可以在LED驱动电路中发挥重要作用,尤其是在便携式照明设备和装饰性照明中。其低导通电阻和高开关频率确保LED的稳定性和光效表现。

3. **移动设备**:
在智能手机和平板电脑等移动设备中,K2373ZE-TL-E-VB可用于电源管理、充电和其他低功耗应用,帮助延长电池寿命,提高整体性能。

4. **智能家居**:
该器件非常适合用于智能家居系统中的各种传感器和控制器,提供高效的电源开关和信号传输,确保系统的可靠性和响应速度。

K2373ZE-TL-E-VB凭借其高效能和广泛的适用性,成为现代低功耗电子设备中的关键组件,为各种应用提供可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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