产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
二、K2158-VB MOSFET 详细参数说明
- **封装形式**：SOT23-3
- **配置**：单通道 N 型 MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**：60V
- **栅源极电压（VGS）**：±20V
- **开启电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- VGS = 4.5V 时：3100mΩ
- VGS = 10V 时：2800mΩ
- **漏极电流（ID）**：0.3A
- **技术**：Trench
- **工作温度范围**：-55°C 至 150°C
- **功耗**：最大可达 0.3W（典型）
- **输入电容（Ciss）**：约600pF（典型）
- **封装引脚**：
- 引脚1：源极（Source）
- 引脚2：漏极（Drain）
- 引脚3：栅极（Gate）
领域和模块应用：
三、K2158-VB 应用领域与模块示例
1. **电源管理电路**：K2158-VB MOSFET 非常适合用于低压开关电源（SMPS）中，能够有效处理60V 的电压，为现代电子设备提供稳定的电源管理，满足高效能和高稳定性的要求。
2. **信号开关应用**：在信号调理和开关应用中，K2158-VB 可以用作高频信号开关，确保在低功耗状态下快速响应，适用于消费电子、通信设备等领域。
3. **LED驱动电路**：该 MOSFET 适用于LED驱动电路，能够稳定控制LED的亮度，广泛应用于家用照明和装饰照明中，满足不同的照明需求。
4. **微控制器接口**：K2158-VB 可以用作微控制器的驱动器，控制其他组件（如继电器、马达等）的开关，确保在低电流和低功耗的条件下提供可靠的控制功能。
这些应用实例展示了 K2158-VB 的广泛适用性，特别是在需要高电压、低电流的电源管理和信号开关系统中，能够满足现代电子设备对性能和能效的严格要求。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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