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K2158-T1B-A-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介:

K2158-T1B-A-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低电压和小电流应用设计。该器件的额定漏源电压(VDS)为60V,栅源电压(VGS)范围为±20V,适用于多种电子设备的控制和驱动。其栅极阈值电压(Vth)为1.7V,导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为3100mΩ,而在VGS为10V时为2800mΩ,支持最高0.3A的漏极电流(ID)。基于Trench技术,K2158-T1B-A-VB提供了优异的开关性能和热稳定性,广泛应用于便携式电子产品和电源管理系统。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
二、详细参数说明:

- **封装形式**:SOT23-3
- **通道类型**:单N沟道
- **漏源电压(VDS)**:60V
- **栅源电压(VGS)**:±20V
- **栅极阈值电压(Vth)**:1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 3100mΩ@VGS=4.5V
- 2800mΩ@VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:0.3A
- **技术类型**:Trench技术

领域和模块应用:

三、应用领域与模块举例:

1. **电源管理**:K2158-T1B-A-VB常用于开关电源(SMPS)和直流-直流转换器中。其低导通电阻有助于提高电源效率,适合在消费电子、家用电器等领域中使用。

2. **便携式电子设备**:在智能手机、平板电脑及其他便携设备中,该MOSFET可用于电池管理和充电控制电路,以确保高效的能量利用和更长的电池寿命。

3. **LED驱动**:K2158-T1B-A-VB也适合用于低功率LED驱动应用,能够提供稳定的电流输出,确保LED的均匀亮度和长寿命,广泛应用于照明和指示灯电路。

4. **传感器驱动**:在传感器模块中,该MOSFET可以用于控制小信号的开关,支持各种环境监测和自动化系统的需求。

通过以上应用示例,K2158-T1B-A-VB MOSFET展示了其在低电压、小电流领域中的广泛适用性,能够满足多种现代电子设备的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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