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K2158A-T1B-A-VB 产品详细

产品简介:

K2158A-T1B-A-VB MOSFET 产品简介:

K2158A-T1B-A-VB 是一款高效能的 **单N沟道** MOSFET,采用 **SOT23-3** 封装,具有超小的体积和出色的散热性能。这款 MOSFET 的 **漏源电压 (VDS)** 可达 60V,适合多种低压功率应用。其门源电压 (VGS) 额定为 ±20V,保证在电压波动情况下的可靠性。阈值电压 (Vth) 为 1.7V,使其能够在较低的门电压下迅速开启。在 VGS=4.5V 时,**导通电阻 (RDS(ON))** 为 3100mΩ,而在 VGS=10V 时为 2800mΩ,能够提供稳定的电流输出,最大漏电流可达 0.3A。采用 **Trench** 技术,使得 K2158A-T1B-A-VB 在高开关频率和低能耗方面表现出色,尤其适合用于各种移动设备和低功耗电源管理应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明:

- **型号**:K2158A-T1B-A-VB
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **门源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench
- **工作温度**:通常在广泛的温度范围内额定。

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领域和模块应用:

应用领域和模块示例:

K2158A-T1B-A-VB 特别适用于多种低压和低功耗应用,以下是一些具体应用示例:

1. **便携式电子设备**:由于其小型封装和高效能,K2158A-T1B-A-VB 适合用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备中的电源管理电路,确保设备的高效能和较长的电池续航。

2. **LED 驱动电路**:该 MOSFET 可以用于 LED 照明的开关控制,支持对 LED 亮度的精确调节,适用于各种家庭和商业照明系统。

3. **电池管理系统**:在可再生能源和电动车辆的电池管理中,该 MOSFET 可用于电池充放电控制,支持高效的电池管理策略,提高电池的使用效率和安全性。

4. **小型电机驱动**:K2158A-T1B-A-VB 也可以用于小型电机控制应用,如风扇、玩具和小型家电,提供快速和可靠的电机驱动性能。

凭借其高效能和出色的 Trench 技术,K2158A-T1B-A-VB 是许多低压应用中理想的选择,能够提升整体系统的性能和可靠性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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