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K1826-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
K1826-VB是一款小型单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低功耗和高效率应用设计。该器件的漏源电压(VDS)为60V,能够在高达±20V的栅源电压(VGS)下稳定工作。K1826-VB的导通电阻(RDS(ON))为3100mΩ(在VGS=4.5V时)和2800mΩ(在VGS=10V时),适合用于低电流(最大漏电流为0.3A)的电源管理和信号开关等应用。其采用Trench技术,具有优异的开关性能和高效率,能够有效降低电能损耗,延长电池寿命。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块
K1826-VB广泛应用于多个领域,特别是在移动设备和便携式电子产品中,由于其小型封装和低功耗特性,成为理想的电源开关元件。在这些设备中,K1826-VB可以用于电源管理,控制电池的充放电过程,帮助延长设备的使用时间。

在LED驱动电路中,K1826-VB也扮演着重要角色。其低导通电阻和高效率使得LED照明系统能够以较低的能耗运行,提升整体亮度和能效,同时减少热量产生,从而提高了设备的可靠性和使用寿命。

此外,在消费电子和小型家电中,该MOSFET用于实现开关控制,比如电动玩具、遥控器等。在这些应用中,K1826-VB能够快速切换,提供高效、稳定的性能,满足现代电子产品对高效能和小型化的需求。

最后,在工业自动化和控制系统中,K1826-VB的可靠性和高性能使其适合用于信号开关和传感器接口,实现对系统的精确控制与监测。其广泛的适用性使其成为低功耗电子设计中不可或缺的元件之一。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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