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K1657-T2B-A-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
K1657-T2B-A-VB是一款小型单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低电压和低功耗应用设计。其最大漏源电压(VDS)为60V,适合在低至中等电压范围内的电子设备中使用。K1657-T2B-A-VB利用先进的Trench技术,具有优良的开关性能和低导通电阻,使其在各种便携式和消费电子产品中成为理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**:
- 3100mΩ(在VGS=4.5V时)
- 2800mΩ(在VGS=10V时)
- **ID**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域
K1657-T2B-A-VB广泛应用于各类消费电子产品和低功耗电源管理模块。在智能手机、平板电脑及其他移动设备中,该MOSFET可用于电源开关、调节电源电压以及实现高效的电源管理。此外,其低导通电阻特性使其在LED驱动和小型电机控制中表现优异,确保设备在较低功耗条件下稳定运行。由于其小巧的SOT23封装,K1657-T2B-A-VB适合用于空间受限的应用场景,支持设计紧凑且高效的电子设备。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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