推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

K1590-T1B-A-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
K1590-T1B-A-VB是一款高效能的单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,专为低电压和高效率的电子应用设计。该器件具有60V的漏源电压(VDS),最大栅源电压(VGS)为±20V,适合用于多种开关和信号处理应用。其阈值电压(Vth)为1.7V,低导通电阻(RDS(ON)为3100mΩ@VGS=4.5V和2800mΩ@VGS=10V),使其在低电流操作下表现优异,有助于降低功耗并提高系统效率。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ@VGS=4.5V
- 2800mΩ@VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块
K1590-T1B-A-VB广泛应用于便携式电子设备、通信设备及电源管理系统。其小型化设计和低功耗特性使其成为智能手机、平板电脑、蓝牙设备等移动电子产品中的理想选择,尤其是在开关电源和DC-DC转换器中,能够有效提高能量转化效率,延长电池使用寿命。

此外,该MOSFET还可应用于汽车电子和工业控制系统,如电动机驱动和负载控制,确保在各种操作条件下提供稳定的性能。其在高密度电路设计中的优异表现,能够满足现代电子设备对高效能和低功耗的要求,帮助设计师实现更高效的电路布局与能量管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询