K1582-T2B-A-VB 产品简介
K1582-T2B-A-VB 是一款高效能的 N-Channel MOSFET，采用 SOT23-3 封装，具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 0.3A 的最大漏电流 (ID)。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V，适合低电压应用下的高效能操作。K1582-T2B-A-VB 使用 Trench 技术，具有较高的导通电阻 (RDS(ON))，在 VGS 为 4.5V 时为 3100mΩ，而在 VGS 为 10V 时为 2800mΩ，确保在小信号和功率开关应用中的良好表现。