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K1582-T1B-A-VB 产品详细

产品简介:

K1582-T1B-A-VB 产品简介

K1582-T1B-A-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,专为低电压和中小电流应用而设计。该器件的最大漏源电压 (VDS) 为 60V,适用于多种电子电路。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V,确保在低栅电压下快速导通,适合用于快速开关应用。K1582-T1B-A-VB 在 VGS=10V 时的导通电阻 (RDS(ON)) 为 2800mΩ,能够有效降低功耗和热量积聚,提升系统的可靠性和效率。该 MOSFET 的最大漏电流 (ID) 为 0.3A,使其成为小型功率应用的理想选择。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明

- **型号**:K1582-T1B-A-VB
- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:Single-N-Channel
- **最大漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅极-源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块示例

K1582-T1B-A-VB 在多个领域中展现出广泛的应用潜力,主要包括:

1. **移动设备**:
- 由于其紧凑的封装和低功耗特性,K1582-T1B-A-VB 非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备的电源管理和开关电路中。

2. **消费电子**:
- 在各类消费电子产品(如数码相机、游戏机等)的电源转换和控制电路中,K1582-T1B-A-VB 能有效地控制电源开关,提高整体系统的能效。

3. **LED 驱动电路**:
- K1582-T1B-A-VB 适合用于 LED 驱动电路中,通过其高效的开关特性,提供稳定的电流以驱动 LED 光源,确保照明效果和延长 LED 使用寿命。

4. **低功耗无线通信设备**:
- 在无线通信设备中,K1582-T1B-A-VB 可用于射频 (RF) 模块和其他相关电路中,提供高效的功率放大和信号调制功能。

5. **电源适配器**:
- 在小型电源适配器中,该 MOSFET 可用于输入开关和输出调节,帮助优化电源效率,并降低整体能耗。

综上所述,K1582-T1B-A-VB 是一款优质的 N 沟道 MOSFET,凭借其小型化设计和优越的电气特性,适用于多种低电压、小功率的电子应用场景,满足现代电子设备对高效电源管理的需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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