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K1581-T2B-A-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
K1581-T2B-A-VB是一款高效能N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,设计用于低电压、高效能的电子应用。该器件的漏源电压(VDS)高达60V,栅源电压(VGS)可达±20V,适合用于多种开关和信号处理应用。其阈值电压(Vth)为1.7V,具有较低的导通电阻(RDS(ON)为3100mΩ@VGS=4.5V和2800mΩ@VGS=10V),在低电流条件下表现优异,能有效降低功耗。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ@VGS=4.5V
- 2800mΩ@VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域与模块
K1581-T2B-A-VB广泛应用于便携式电子设备、通信设备及小型电源管理系统中。其高效能和小型封装使其成为手机、平板电脑和其他移动设备中开关电源和电源管理模块的理想选择。由于其低导通电阻特性,该MOSFET能够有效降低功耗,延长电池寿命,特别适合于电源转换器和DC-DC转换器等应用。

此外,K1581-T2B-A-VB在汽车电子和工业控制系统中也有应用,如电动机控制和负载开关等,能够确保在多种工作条件下提供可靠的性能。它在小型化和高集成度的设计需求中尤为突出,帮助设计师实现更高效的电路布局与能量管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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