产品简介：
K1399-T2B-A-VB 产品简介
K1399-T2B-A-VB 是一款小型的 N-Channel MOSFET，采用 SOT23-3 封装，具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 0.3A 的最大漏电流 (ID)。其阈值电压 (Vth) 为 1.7V，确保其在低电压驱动下也能可靠工作。利用 Trench 技术，K1399-T2B-A-VB 的导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 3100mΩ（在 VGS = 4.5V 时）和 2800mΩ（在 VGS = 10V 时），使其非常适合小功率应用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N |
60V |
20（±V） |
1.7V |
0.3A |
|
|
2800mΩ |
|
详细参数说明
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: Single-N-Channel
- **VDS**: 60V
- **VGS**: ±20V
- **Vth**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 2800mΩ @ VGS = 10V
- **ID**: 0.3A
- **技术**: Trench
领域和模块应用：
应用领域和模块
K1399-T2B-A-VB 适用于便携式电子设备、LED 驱动电路和小型开关电源等应用。在这些领域中，其低功耗特性能够有效提高系统效率，尤其是在需要低电压驱动的场合。此外，它也常用于电池管理系统和信号放大器中，提供可靠的开关功能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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