推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

K1133-T2B-A-VB 产品详细

产品简介:

产品简介
K1133-T2B-A-VB是一款高性能N沟道MOSFET,封装类型为SOT23-3,专为低电压应用而设计。该器件具有最大漏源电压(VDS)为60V,适合多种低功率电子电路。其最大栅源电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,确保其在较低电压下也能够迅速开启,具有良好的开关特性。K1133-T2B-A-VB的导通电阻(RDS(ON))在VGS为4.5V时为3100mΩ,在VGS为10V时为2800mΩ,支持最大漏电流(ID)为0.3A,适合小型电子设备的需求。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
详细参数说明
- **产品型号**: K1133-T2B-A-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS = 4.5V
- 2800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 0.3A
- **技术类型**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块
K1133-T2B-A-VB MOSFET在多个领域中具有广泛的应用,具体如下:

1. **便携式设备**: 由于其小型封装和低功耗特性,K1133-T2B-A-VB非常适合用于智能手机、平板电脑等便携式电子设备中的电源管理电路。

2. **电池供电的应用**: 在电池管理系统中,该器件可以用作开关元件,有效控制电源流向,延长电池使用寿命。

3. **LED驱动器**: K1133-T2B-A-VB可用作LED驱动电路中的开关,能够高效控制LED的开启和关闭。

4. **小型电源供应**: 适用于低功率开关电源和DC-DC变换器,以提高能效和系统的整体可靠性。

通过这些应用,K1133-T2B-A-VB为各种小型电子设备提供了可靠的电源管理解决方案,确保系统的高效运行和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
在线咨询
电话咨询
微信咨询