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IRLML9303TR-VB 产品详细

产品简介:

IRLML9303TR-VB MOSFET 产品简介

IRLML9303TR-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装,适用于中等电压的应用。该MOSFET 支持最大-30V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),具有-1.7V的栅阈值电压(Vth)。其导通电阻为54mΩ@VGS=4.5V 和 46mΩ@VGS=10V,最大漏极电流为-5.6A。IRLML9303TR-VB 使用了Trench(沟槽)技术,提供了低导通损耗和良好的开关性能,非常适合各种中等电压和电流的应用。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
IRLML9303TR-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **沟道配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 54mΩ @ VGS=4.5V;46mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -5.6A
- **技术类型**: Trench(沟槽)技术
- **最大功率耗散 (PD)**: 0.6W
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **封装引脚**: 三引脚(Drain, Gate, Source)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

1. **负载开关**
- IRLML9303TR-VB 非常适用于低电压负载开关应用。在消费电子产品如智能手机、平板电脑中,它可用作电源管理开关,控制电池供电的开关,提高设备的电池使用效率和延长电池寿命。

2. **电源管理**
- 在电源管理系统中,IRLML9303TR-VB 可以用来实现电源路径的开关和负载分配。其低导通电阻和良好的开关特性使其非常适合在电源管理模块中控制和调节电流流动,例如用于车载电子设备和小型电源适配器中。

3. **保护电路**
- 该MOSFET 可用作电路保护组件,例如在电流过载保护电路中。IRLML9303TR-VB 的快速开关能力和高电流处理能力使其适合用于保护电路中的开关元件,避免过流和短路损坏。

4. **负载驱动**
- 在低功率负载驱动应用中,IRLML9303TR-VB 可以用作开关驱动器,控制电流流入负载。其适合用于小型电动马达、继电器驱动电路等场合,提供可靠的电流控制和高效开关操作。

IRLML9303TR-VB 是一款性能优越的P沟道MOSFET,凭借其紧凑的SOT23-3封装和低导通电阻,适合用于负载开关、电源管理、保护电路和负载驱动等多种应用。其优良的开关特性和高效性能,使其在各种电子设备中得到广泛应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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