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IRLML2502G-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介(IRLML2502G-VB)

IRLML2502G-VB 是一款高性能的单N沟道功率 MOSFET,采用 SOT23-3 封装。该 MOSFET 专为低电压、高效能应用设计,具备 20V 的漏源极电压(VDS)和 ±12V 的栅源极电压(VGS)。其开启电压(Vth)在 0.5V 至 1.5V 范围内,适合低栅极驱动需求。IRLML2502G-VB 的导通电阻在 2.5V 栅极电压下为 42mΩ,在 4.5V 栅极电压下为 28mΩ,能够处理高达 6A 的漏极电流。MOSFET 采用 Trench 技术,具有出色的开关特性和低导通损耗,适用于空间受限的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
二、详细参数说明

| 参数 | 值 |
|---------------------|-------------------------------|
| **型号** | IRLML2502G-VB |
| **封装类型** | SOT23-3 |
| **配置** | 单N沟道 |
| **漏源极电压 (VDS)**| 20V |
| **栅源极电压 (VGS)**| ±12V |
| **开启电压 (Vth)** | 0.5~1.5V |
| **导通电阻 (RDS(ON))**| 42mΩ @ VGS=2.5V |
| | 28mΩ @ VGS=4.5V |
| **最大漏极电流 (ID)**| 6A |
| **技术** | Trench |
| **工作温度范围** | -55°C 至 175°C |
| **最大功耗** | 1.25W (SOT23-3 封装散热) |
| **击穿电压** | 20V |
| **开关速度** | 高速开关,适合高频应用 |

领域和模块应用:

三、适用领域和模块举例

1. **便携式设备**:IRLML2502G-VB 的小型 SOT23-3 封装和低导通电阻使其非常适合用于便携式设备,例如智能手机和手持设备。这些应用通常需要高效的电源开关以节省空间和延长电池寿命。

2. **电池管理系统**:在电池管理系统中,IRLML2502G-VB 可用于电池保护和负载开关。其低开启电压和低导通电阻可以有效地控制电池的充放电过程,保证系统稳定性和安全性。

3. **DC-DC 转换器**:该 MOSFET 适合在 DC-DC 转换器中使用,特别是在低电压高效率的应用中。其优良的开关特性和低导通损耗有助于提高转换器的整体效率。

4. **小型开关电路**:在各种小型开关电路中,IRLML2502G-VB 可用于实现高效的开关功能。其小型封装使其适合在空间受限的设计中,如模块化电路和嵌入式系统。

IRLML2502G-VB 以其低电压、高效率和紧凑封装,特别适合在便携式设备、电池管理系统、DC-DC 转换器和小型开关电路等领域中应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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