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IRLM2502TR-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

**IRLM2502TR-VB** 是一款高效能N沟道MOSFET,采用紧凑的SOT23-3封装,专为低电压高开关频率应用设计。该MOSFET的最大漏源电压(VDS)为20V,栅极驱动电压范围为±12V。其阈值电压(Vth)范围为0.5V至1.5V,能够在低栅极电压下有效导通。在2.5V的栅极驱动电压下,导通电阻为42mΩ,而在4.5V时降至28mΩ,支持最大6A的漏极电流。IRLM2502TR-VB 采用Trench技术,具有低导通电阻和良好的开关性能,非常适合于要求高开关速度和低功耗的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 12(±V) 0.5~1.5V 6A 42mΩ
二、详细参数说明

- **器件型号**: IRLM2502TR-VB
- **封装类型**: SOT23-3
- **极性**: N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V 至 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 42mΩ @ VGS = 2.5V
- 28mΩ @ VGS = 4.5V
- **连续漏极电流 (ID)**: 6A
- **技术**: Trench
- **最大功耗**: 1.6W(取决于散热条件)
- **最大结温 (Tj)**: 175°C
- **栅极电荷 (Qg)**: 13nC
- **开关延迟时间**:
- 上升时间 (tr): 30ns
- 下降时间 (tf): 25ns

领域和模块应用:

三、适用领域和模块

**IRLM2502TR-VB** 因其低导通电阻和高开关速度,广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中:

1. **消费电子产品**:由于其紧凑的SOT23-3封装和低导通电阻,IRLM2502TR-VB 非常适合用于消费电子产品中的小型开关电路,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。其高开关速度和低功耗特性能够提高设备的整体能效和性能。

2. **电池管理系统**:在电池供电设备中,例如电池保护板和充电管理系统,IRLM2502TR-VB 能够有效地控制电池充放电过程。低导通电阻帮助减少功耗和热量生成,而高开关频率则支持高效的电池管理。

3. **开关电源 (SMPS)**:该MOSFET的低导通电阻使其适用于开关模式电源中,特别是需要高开关频率的应用。IRLM2502TR-VB 能够在高频开关环境下提供稳定的性能,提升电源转换效率。

4. **LED驱动电路**:在LED驱动应用中,IRLM2502TR-VB 的高开关速度和低导通电阻确保了稳定的LED亮度和延长了LED的使用寿命。它可以有效地处理LED驱动电路中的高开关频率和大电流需求。

5. **通信设备**:在各种通信设备中,IRLM2502TR-VB 可以作为高效的开关元件,确保数据传输的稳定性和可靠性。其低导通电阻和小封装使得它适合用于要求小型化和高效能的通信模块。

总之,IRLM2502TR-VB 的高开关速度、低导通电阻和紧凑封装,使其在消费电子、电池管理、电源系统、LED驱动和通信设备等多种应用中表现优异。它能够满足高效能和紧凑设计要求,为这些领域的电子设计提供可靠的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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