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HY2N7002E-VB 产品详细

产品简介:

HY2N7002E-VB 产品简介
HY2N7002E-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装,专为低功耗和高效应用设计。它使用 Trench 技术,以提供较低的导通电阻和稳定的电流处理能力。该 MOSFET 的设计使其在各种电子设备中表现出色,特别适合需要小型封装和高效能的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 60V 20(±V) 1.7V 0.3A 2800mΩ
HY2N7002E-VB 参数说明
- **封装类型**: SOT23-3
- **沟道配置**: 单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 0.3A
- **技术**: Trench 技术
- **典型用途**: 低功耗开关、负载开关、小型电源管理

领域和模块应用:

HY2N7002E-VB 的应用领域和模块
1. **低功耗开关**:由于其小型封装和低导通电阻,HY2N7002E-VB 适用于各种低功耗开关应用,如便携式电子设备中的开关控制,可以有效管理小电流负载。

2. **负载开关**:该 MOSFET 在低电流负载开关应用中表现良好,例如在消费电子产品中用作负载开关,能够提供可靠的电流控制并减少能量损耗。

3. **小型电源管理**:HY2N7002E-VB 的高效率和小型封装使其适合用于小型电源管理模块中,如在手持设备和传感器中进行电源切换和调节。

4. **便携式设备**:在智能手机、平板电脑和其他便携式电子产品中,HY2N7002E-VB 的小型封装和良好电气性能能够有效支持设备的高效能和紧凑设计需求。

5. **低功耗电路**:适用于低功耗电路和小型电子模块中,如 LED 驱动电路和低电压逻辑电路,能够提供稳定的开关性能和长时间可靠的工作。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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