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HY1302S-VB 产品详细

产品简介:

产品简介:HY1302S-VB

HY1302S-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,采用紧凑的 SOT23-3 封装,专为低电压和低功率应用设计。该 MOSFET 使用 Trench 技术,具有非常低的导通电阻和较低的阈值电压,使其在低电压下仍能提供高效的导通性能。HY1302S-VB 特别适用于需要紧凑封装和高效能的应用场合。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-N 20V 20(±V) 0.5~1.5V 9A 11mΩ
详细参数说明:

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源极电压 (VDS)**:20V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:12mΩ@VGS=4.5V, 11mΩ@VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:9A
- **技术类型**:Trench 技术

领域和模块应用:

应用领域与模块:

1. **便携式电子设备**:HY1302S-VB 的紧凑封装和低导通电阻使其非常适合用于便携式电子设备中的功率开关。其低阈值电压和高开关效率确保了设备的长电池寿命和高性能。

2. **低功耗 DC-DC 转换器**:在低功耗 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 能够提供高效的电流转换,降低功耗。其低导通电阻减少了转换过程中的功率损耗,提高了整体转换效率。

3. **移动设备电源管理**:HY1302S-VB 可用于移动设备的电源管理模块,帮助控制电源的开关和电流分配。其低阈值电压和高效率确保了设备的稳定性和性能。

4. **LED 驱动电路**:在 LED 驱动电路中,该 MOSFET 能够高效地控制 LED 的开关和亮度调节。其低导通电阻有助于提高驱动电路的效率,减少能量损耗。

HY1302S-VB 的设计和性能使其在这些应用中表现优异,适合各种需要高效能和紧凑封装的电子应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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