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HY04P30-VB 产品详细

产品简介:

HY04P30-VB MOSFET 产品简介

HY04P30-VB 是一款采用 SOT23-3 封装的单 P 沟道 MOSFET,专为高效能、低功耗应用设计。其具有负 30V 的漏源电压 (VDS) 和高达 -5.6A 的持续漏极电流 (ID),使其适用于各种小型电路和低电压应用。HY04P30-VB 采用先进的 Trench 技术,以提供低导通电阻 (RDS(ON)) 和优异的开关特性,适合用于电源管理、电路保护和小型功率开关等领域。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
HY04P30-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **开启电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS=4.5V
- 46mΩ @ VGS=10V
- **持续漏极电流 (ID)**: -5.6A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

HY04P30-VB MOSFET 应用领域及模块举例

1. **电源管理**:
- 在电源管理电路中,HY04P30-VB 可用作负载开关或电源通断控制元件。其低 RDS(ON) 特性能够有效降低导通损耗,提升电源效率,特别是在小型便携式设备中。

2. **电路保护**:
- 由于其负的漏源电压和低导通电阻,该 MOSFET 可用于保护电路中的过流保护和反向电流保护。它能够在电流超出安全范围时迅速切断电流,保护后续电路元件。

3. **小型功率开关**:
- 在小型功率开关应用中,如便携式设备、电池供电系统中,HY04P30-VB 的小封装和高电流能力使其成为理想选择。其快速开关特性能够实现高效的开关控制。

4. **负载开关**:
- 在各种电子设备中,HY04P30-VB 可以用作负载开关,如在移动电话、平板电脑等设备的电池管理系统中,控制不同模块的开关状态,优化功耗。

这些应用领域和模块都要求具有低导通电阻、快速响应和高可靠性的开关元件,HY04P30-VB 正好满足这些需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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