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HY04P30L-VB 产品详细

产品简介:

一、产品简介

**HY04P30L-VB** 是一款高性能P沟道MOSFET,封装类型为SOT23-3,专为负压开关应用设计。该MOSFET具有最大-30V的漏源电压(VDS),能够在宽范围的栅源电压(VGS)下稳定工作。采用Trench技术,使其具有较低的导通电阻,并能够承受高达-5.6A的持续漏极电流(ID)。这款器件非常适合用于电源管理和负载开关等要求较高性能的应用场景。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -30V 20(±V) -1.7V -5.6A 46mΩ
二、详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**:-30V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 54mΩ @ VGS = 4.5V
- 46mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:-5.6A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

三、应用领域和模块举例

**HY04P30L-VB** MOSFET由于其优异的电气性能和小型封装设计,适用于多种领域和模块:

1. **电源开关**:在便携式设备和小型电子产品中,**HY04P30L-VB** 能够作为高效的负载开关,提供可靠的电源切换功能,帮助节省空间并提升系统的整体效率。

2. **负载开关模块**:适用于各种负载开关模块,能够在高达-5.6A的负载下稳定工作,同时保持低导通电阻,减少功耗和发热。

3. **电池管理系统**:在电池保护和管理电路中,**HY04P30L-VB** 可以用于控制电池的充放电过程,确保电池的安全性和性能。

4. **小型电机驱动**:用于小型电机驱动电路中的负载开关,确保电机在各种运行状态下的稳定性和效率。

通过这些应用,**HY04P30L-VB** MOSFET能够在许多紧凑型和高效能需求的电路中发挥关键作用,提升设备的可靠性和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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