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HY03P20-VB 产品详细

产品简介:

HY03P20-VB MOSFET 产品简介

HY03P20-VB 是一款高性能的P沟道MOSFET,封装为SOT23-3,适用于小型和高集成度电路。它具有低导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于各种电子设备中的开关和调节应用。该MOSFET的特点包括其高效的Trench技术、低导通电阻和宽范围的栅源电压,这使得它在低电压和低功耗应用中表现尤为出色。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P -20V 12(±V) -0.8V -4A 80mΩ 60mΩ
HY03P20-VB MOSFET 详细参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **配置**: 单P沟道(Single-P-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: -20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS=2.5V
- 65mΩ @ VGS=4.5V
- 60mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -4A
- **技术类型**: Trench技术

领域和模块应用:

HY03P20-VB MOSFET 的应用领域和模块举例

1. **低功耗开关电路**: HY03P20-VB 适用于各种低功耗开关电路,包括便携式电子设备的开关控制。其低导通电阻在小型电路中能够有效降低功耗,提高整体系统的能效。

2. **电池管理**: 在电池管理系统中,该MOSFET可以用于保护电池免受过充和过放电的影响。其低阈值电压和低导通电阻特性确保了电池的安全和高效运行。

3. **消费电子产品**: 在消费电子产品如智能手机、平板电脑等设备中,HY03P20-VB可以用作负载开关,帮助调节和管理内部电路的电源供应,保证设备的正常工作。

4. **功率管理模块**: 在功率管理模块中,例如DC-DC转换器,该MOSFET能够提供高效的开关功能,优化电能转换过程,提升系统的性能和可靠性。

HY03P20-VB凭借其紧凑的封装和优异的性能,适合在对空间和功耗有严格要求的应用中使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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